FSB660A

Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 75MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~550 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. 描述与应用| 低饱和PNP 这些设备的设计与高电流增益和低饱和电压与集电极电流高达2A的连续。