CSD17313Q2Q1

TEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2Q1  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V

NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大程度减少电源转换中的损失，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。 2mm x 2mm SON 提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图 受限封装脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

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符合汽车应用要求

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针对 5V 栅极驱动进行了优化

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超低 Qg和 Qgd

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低热阻

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无铅

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符合 RoHS 标准

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无卤素

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小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装