CSD87503Q3ET_射频晶体管_德州仪器(TI)
时间：2021-01-09 22:38:24
包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| VSON（DTD）| 8 | 250 |小型T&R |
-55至150 |
| 包装|销 | VSON（DTD）| 8 |
|---|---|
| 包装数量|承运商： | 250 |小型T&R |
| 工作温度范围（°C） | -55至150 |
CSD87503Q3E的功能
- 双N-Ch共源mosfet
- 为5V栅极驱动优化
- 低热阻
- 低Q值克和Q广东
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS
- 无卤素
- SON 3.3mm×3.3mm塑料包装
所有商标均为其各自所有者的财产。
CSD87503Q3E的说明
CSD87503Q3E是一款30伏、13.5兆欧、共源、双N通道设备，设计用于USB C/PD型和电池保护。这种SON 3.3×3.3毫米器件具有低漏至漏导通电阻，可将损耗降至最低，并为空间受限的应用提供低元件数量。
