CSD19533Q5AT_晶体管-FET，MOSFET-单个德州仪器(TI)
时间：2021-01-11 01:03:10
包装信息
| 包装|销 | 包装数量|承运商： | 工作温度范围（°C） |
|---|---|---|
| VSONP（DQJ）| 8 | 250 |小型T&R |
-55至150 |
| 包装|销 | VSONP（DQJ）| 8 |
|---|---|
| 包装数量|承运商： | 250 |小型T&R |
| 工作温度范围（°C） | -55至150 |
CSD19533Q5A的特点
- 超低Q克和Q广东
- 低热阻
- 额定雪崩
- 无铅端子板
- 符合RoHS
- 无卤素
- SON 5-mm×6-mm塑料包装
CSD19533Q5A的说明
这100伏，7.8兆欧，儿子5毫米×6毫米NexFET功率MOSFET的设计，以尽量减少功率转换应用中的损失。
