近日，海内2家企业/团队发布获得新打破，触及8吋复合衬底、无损抛光设备等。
青禾：打破8吋SiC衬底制备
前天，世纪金芯发布胜利制备了8吋SiC（.点这里.）；4月11日，青禾晶圆也在官微发布，他们突破了8英寸SiC键合衬底制备。
据介绍，青禾晶圆经由过程手艺立异，在SiC键合衬底的研发上取得了首要发展，在海内领先胜利制备了8英寸SiC键合衬底，有望加快8英寸SiC衬底量产历程，为产业界客户供应更具竞争力的价钱。
地下材料表现，青禾成立于2020年7月，致力于应用进步前辈异质集成手艺来进步碳化硅、下降本钱。
据“里手说三代半”此前报导，2022年6月，青禾晶元拟投资9.9亿元在天津高新区设置装备摆设海内首条复合SiC衬底生产线；同年12月，青禾晶元的复合SiC衬底产线首台设置装备摆设搬入启动典礼在渤龙湖科技园进行。据36氪称，该公司新型键合集成衬底量产树模线于2023年5月19日正式通线，计划产能3万片/年，满产后预计单条产线营收过亿元。
截至今朝，青禾晶元曾经实现晶圆键合设置装备摆设、Chiplet设置装备摆设及功率模块键合设置装备摆设等多款设置装备摆设的开辟及量产；SiC、POI等键合集成衬底资料规模化量产。
姑苏大学：推出电场+化学机器抛光设备
4月10日，据腾讯网新闻，近期，姑苏大学一支超周详抛光团队将电场引入传统的化学机器抛光（CMP）工艺中，研发出国表里首台电化学机器抛光（ECMP）设备，并已于2023年完成为了第三代产物。
松山湖资料实验室检测呈报表现，该设置装备摆设可赞助SiC、完成高效、无损抛光，拥有很高的使用代价。
据介绍，经由过程对资料举行加工试验，半导体资料的外貌粗糙度可降至0.22nm如下，达到纳米级加工的规范，抛光加工的服从能够提升到现有CMP手艺的5倍，晋升企业的出产效益130%—160%。同时，该工艺可无效晋升32%的磨料利用率，显著下降抛光液本钱70%以上（约4.6万/吨）。
研发团队负责人彭洋暗示，“超周详抛光是创造中最为关头的制程之一，间接抉择了芯片外貌品质。在研讨早期，咱们实地走访了海内浩繁的芯片创造厂商，懂得到传统的化学机器抛光手艺存在抛光服从低、抛光液损耗本钱昂扬的题目。咱们团队将现有的化学机器抛光手艺和电场举行精良复合，胜利完成了第三代难加工半导体的无损超周详抛光。”
注：本文起源处所当局及企业官网，仅供信息参考，不代表“里手说三代半”观念。
