环球公认的卓着的模仿/混杂旌旗灯号代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）本日发布，其产物平台再添新成员——为餍足新一代功能的请求，X-FAB现已在其备受接待的工艺平台XS018（180纳米）上开放了背照（BSI）性能。
BSI工艺截面示意图
经由过程BSI工艺，成像感光像素功能将失掉大幅加强。这一手艺使得每一个接收到的入射光不会再被后端工艺的金属层所遮挡，从而大幅晋升传感器的添补比，最高可达100%。因为其可以或许取得更高的像素感光灵敏度，因而在暗光条件下，这类上风尤其显著。同时，因为光路收缩，BSI工艺还能无效缩小相邻像素间的串扰，进而晋升图象的成像品质。虽然今朝BSI手艺曾经至关普各处应用于300毫米晶圆，并普遍用在花费级的小像素图象传感器上，但针对200毫米晶圆市场，首要应用在工业医疗汽车等畛域；或许关于需求经由过程拼接式大像素图象传感器，尤其是在需求额定定制化的场景中，市场上BSI工艺的抉择却非常无限。是以，X-FAB在原有广受好评的CMOS传感器工艺平台XS018中新加入了BSI性能，为分歧细分市场带来全新可能性，无论是X射线诊断设置装备摆设、工业自动化体系、天文研讨，仍是导航、车载前置等，客户都能够轻松地应答最严苛的使用需要。
BSI工艺和规范可见光波段抗反射层（左），晶圆采用了BSI工艺和近红外波段抗反射层（右）
XS018 CMOS传感器平台拥有读出速度快、暗高等特色，客户还可以或许在该平台抉择多种分歧的内涵层厚度从而完成针对分歧使用场景的图象传感器。除此以外，经由过程BSI工艺，客户还可抉择增添ARC层，并可以依据分歧的非凡使用请求举行调解。随附的X-FAB设想支撑包覆盖了从初始设想到工程样品装运的残缺事情流程，此中还包孕美满的PDK。
“BSI手艺可以或许将置于更靠近光源的地位，并防止不必要的障碍来进步图象成像才能，因此在当代成像器件中失掉日趋普遍的使用。究竟证实，这在暗光环境中非常实用。”X-FAB光学营销司理Heming Wei暗示，“虽然此类使用以前首要集合在畛域，但今朝工业、汽车和医疗市场也涌现出少量需要。借助X-FAB的BSI工艺，能够调集更高感光度、更大传感器尺寸以及像素容量等上风，推出市场服气的产物，更大水平餍足工业，汽车，医疗分歧的使用需要。”
缩略语：
ARC 抗反射涂层
BSI 背照手艺
CMOS 互补金属氧化物
PDK 工艺设想套件
