近日，包孕Wolfspeed、韩国釜山当局、科友等在/上涌现新进展。从国内外第三代化合物发展看，今朝在碳化硅畛域，国际方面8英寸SiC创造已迈向量产前夜，国产厂商方面则有更多厂家具有量产才能，条进一步美满成熟，下文将进一步解释最新情形。
SiC/GaN 3个项目最新静态颁布
Wolfspeed德国8英寸SiC工场或将耽误至来岁设置装备摆设
近日，据外媒新闻，Wolfspeed与采埃孚联结投资设置装备摆设的德国8英寸SiC设置装备摆设规划或被推延，最先将于2025年开端。
据悉，该工场由Wolfspee主导设置装备摆设，位于萨尔州恩斯多夫，预计耗资约27.5亿欧元（约合人民币215亿），今朝已取得德国联邦当局3.6亿欧元（约合人民币28亿）及萨尔州政府1.55亿欧元（约合人民币12亿）的补贴。Wolfspeed还在请求《欧洲法案》的资金赞助。
官网新闻表现，2023年2月采埃孚发布与Wolfspeed创建火伴瓜葛，一方面两边将在德国纽伦堡成立SiC半导体研发中央，另外一方面Wolfspeed将在德国萨尔州设置装备摆设世界上最大、最进步前辈的200毫米SiC晶圆工场，采埃孚将给Wolfspeed供应数亿美圆的财政投资，以调换该工场的少数股分。
业内人士吐露，Wolfspeed 但愿在奠定典礼前取得更多资金，假如无奈从该法案中取得赞助，该项目极有可能会耽误。该工场原计划于2024 年冬季开端设置装备摆设，但据Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe吐露，往常大概要到2025年才会启动设置装备摆设。
近日，Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅创造中央”举行修筑封顶祝贺典礼。据悉，该工场将创造 200mm 碳化硅（SiC）晶圆，显著扩充Wolfspeed资料产能，餍足关于动力转型和 相当首要的新一代半导体的需要。
韩国釜山将新建2座8英寸SiC/GaN工场
4月6日，据韩媒报导，韩国釜山市正规划投建2座8英寸SiC/GaN出产办法，最快将于来岁下半年开端。据悉，釜山市政府规划投资400亿韩元（约合人民币2.2亿），在西北地域—放射线医迷信家当园区增建一座接纳SiC、GaN等新一代资料的8英寸化合物功率半导体出产办法，该项目已取得国度及市级基金赞助。
其次，他们将在机张郡成立一座新的功率半导体手艺研究所，该研究所将接管位于功率半导体商业化中央（PSCC）的6英寸功率半导体出产办法，并装置运营新的8英寸出产办法，支撑入驻企业开展1700V级低压器件手艺研发等手艺事情，同时开展红利营业，规划于来岁下半年开端创建。
与此同时，位于功率半导体商业化中央（PSCC）的20多家半导体公司还规划投资1.1万亿韩元（约合人民币60亿），以打造下一代功率半导体生态体系。
科友和俄罗斯N公司杀青分工，开展“圆满八英寸碳化硅籽晶”项目
4月3日，科友半导体发布，他们于3月27日与俄罗斯N公司在哈尔滨签订计谋分工和谈，开展“八英寸碳化硅圆满籽晶”的项目分工。据称，俄罗斯N公司在晶体缺点密度操纵方面有着厚实的研讨教训，在相干畛域揭晓高水平文章及期刊百余篇。
科友半导体暗示，经由过程与俄罗斯N公司的分工，他们将研发取得“无微管，低位错”圆满籽晶，使用质量优秀的籽晶举行晶体成长，会进一步大幅下降8英寸碳化硅晶体外部的微管、位错等缺点密度，从而进步晶体成长的品质和，并推进碳化硅长晶炉体及工艺手艺的优化与进级。
此前，科友半导体8英寸SiC中试线均匀长晶良率已打破50%，晶体厚度15mm以上。2022年末，科友半导体在经由过程自立设想创造的长晶炉产出直径跨越8英寸的SiC，晶体外貌滑腻无缺点。另外，在往年3月，科友半导体胜利拿下了超2亿元的进口欧洲SiC长定单，首批产物将在4月托付；而且顺遂经由过程“国际汽车分外工作组品质治理系统”（IATF16949）认证，进军新能源汽车芯片衬底市场。
SiC家当从6英寸向8英寸迈进国内外企业加快结构
今朝，SiC/GaN热度高涨，此中SiC家当6英寸向8英寸转型趋向加快，国际方面8英寸晶圆创造已迈向量产前夜，国产厂商方面则有更多更多厂家具有量产才能，家当链条进一步美满成熟。
国际方面，外洋大厂Wolfspeed、、、onsemi等公司8英寸晶圆量产时候集中于2024年下半年至2026年时期。Wolfspeed今朝8英寸器件已颁布，预计2024年第二季产能利用率达20％以上；onsemi在2024年韩国厂正式运转，该公司预计往年产能为客岁的1.7倍；2026年产能计划约为80万片；ST预计往年碳化硅营收在20亿以上；英飞凌则暗示往年居林厂开端量产8英寸碳化硅和器件，预计到2027年产能约为80万片，为2023岁首年月的10倍...
海内厂商在量产时候上与国际大厂依然存在必定时间差，然则目前天岳进步前辈、天科合达两家大厂曾经胜利打入环球导电型资料市场前十榜单。天域半导体则在碳化硅内涵片处于当先位置。
近日，依据中国国际招标网信息表现，天科合达北京基地正在投标8英寸衬底量产线设置装备摆设，包括加工产线的倒角-抛光-研磨-荡涤及各类测试设置装备摆设等产物。表来日诰日科合达将进一步结构8英寸量产产能。据悉，在往年3月20日进行的SEMICON China 2024展会上，天科合达就曾经展出了公司的8英寸导电衬底（500um），8英寸导电衬底(350um)和8英寸的内涵片产物。天科合达暗示公司将打造衬底+内涵的一体化解决计划，供应厚实的产物组合，为客户供应更全面的保证和办事。
天岳先进用液相法制备的无微观缺点的8英寸衬底是业内创始，天岳进步前辈接纳最新手艺制备的晶体厚度已打破60mm，对晋升产能有踊跃意思。在SEMICON展会中，天岳进步前辈也展出了6/8英寸衬底产物。据该公司新闻，其已在8英寸碳化硅衬底上曾经具有量产才能，依据下流客户需要情形正当计划产物产销部署。
天域半导体在SEMICON中重点展示了6/8英寸SiC内涵片、SiC MOS管等产物。民间暗示，公司于2021年开端了8英寸的手艺贮备，于2023年7月进行了8英寸内涵片的产物的小批量送样；跨越千片的量产数据注解8英寸SiC内涵程度与6英寸内涵程度至关。往年2月3日新闻，据广东政务服务网等吐露，天域半导体“总部及出产创造中央设置装备摆设项目”位于东莞市生态产业园，将分期设置装备摆设，此中2号厂房为项目一期内容，1、3号厂房为项目二期内容。项目一期投资金额约为19.14亿元，将置办71台内涵炉，搭建年产能约17 万片的6 /8 英寸SiC内涵片生产线，预计6 英寸产能占比约90%，8 英寸产能占比约10%。
另外，另有许多国产企业如湖南三安、南砂晶圆、晶盛电机、合盛硅业等在8英寸SiC衬底、设置装备摆设等畛域获得发展打破。另外，烁科晶体、同光股分、乾晶半导体、超芯星、粤海金、东尼电子、天成半导体等厂商也曾经涉足8英寸SiC衬底，将来，有望降生更多8英寸衬底资料、设置装备摆设等方面的进步前辈手艺，推进国产化历程。
TrendForce集邦征询此前暗示，从6英寸升级到8英寸，衬底的加工本钱有所增添，但可以晋升芯片产量，8英寸可以或许出产的芯片数目约为6英寸SiC晶圆的1.8倍，向8英寸转型，是下降SiC器件本钱的可行之法。同时8英寸衬底厚度增添有助于在加工时坚持多少外形，缩小边缘翘曲度，下降缺点密度，从而晋升良率，接纳8英寸衬底可以或许大幅下降单元综合本钱。各大厂商踊跃结构8英寸，手艺方面继续打破，有助于推进良率晋升，关于将来8英寸大规模遍及意思庞大。
