PANJIT n通道增强模式mosfet的介绍、特性、及应用

PANJIT n通道加强模式mosfet应用沟槽手艺来改良产物特点。这些mosfet拥有低漏源极电阻和80V漏源极电压。PSMxN08NS1 mosfet是100%雪崩测试，100% rg测试，无铅吻合欧盟RoHS 2.0。这些mosfet异常适宜用于电池治理体系(bms)，无刷直流(BLDC)机电，SMPS和电信电源体系。