新推出的7单管系列市场热度不减，本文为人人收拾整顿针对该产物系列的罕见题目，一看就懂，紧紧码住!
IGBT7都通过了哪些可靠性测试？
答：IGBT岂论单管和模块都需求经由过程多项可靠性测试以保证其长时间应用稳定性，与电功能相干的主要有HTGS，HTRB，H3TRB，HV-H3TRB等。低温高湿测试H3TRB的测试前提是温度Ta=85℃,湿度RH=85%,VCE=80V，而HV-H3TRB在坚持温度和湿度双85的条件下，将CE之间从80V进步到了80%的，比方1200V的器件，测试HV-H3TRB时CE之间施加电压Vstress 960V。测试电压的大幅晋升关于IGBT无疑是更严格的磨练，而IGBT7经由过程优化设想，通过了1000小时的HV-H3TRB测试，显示出对低压及湿润环境的卓着顺应才能。IGBT7单管产物的电功能可靠性测试规范如下表所示。
IGBT7单管系列今朝有哪些规格曾经量产？
答：今朝IGBT7 T7/S7/H7单管已量产的产物请参考下方表格，能够看到，650V最大可达150A，1200V最大电流可达140A，可无效缩小数目，晋升体系功率密度。
所有IGBT7的才能都是全局限的吗？
答：是的，今朝1200V和650V的IGBT7单管的反并联二极管，都是和IGBT电流等级沟通的。这个从IGBT单管的定名划定规矩上就能看出来，像CH7 CS7 EH7 ET7这些定名里的E和C，都是代表全电流二极管。详细能够参考《英飞凌IGBT单管定名划定规矩》。
今朝已量产的IGBT7单管系列，有短路和没有短路才能的分手适用于哪些使用畛域？
答：拥有短路才能的IGBT7有650V T7， 1200V S7，适用于频次请求不过高，但可能有短路工况的使用，比方。没有短路才能的IGBT7有650V H7和1200V H7，进一步降低了饱和压降和，适用于光伏，ESS，EVC等对开关频次和服从请求比较高的场所。总结以下：
3pin和4pin的对消耗有甚么差别？
答：TO247-4pin封装拥有开尔文发射极，它将功率回路与驱动回路解耦，减小了驱动回路的杂感，关于消耗的影响保举浏览这篇文章《用数据看TO-247封装单管开尔文管脚的重要性》。
H7与H5相比较，芯片面积是不是变小了？
答：是的，手艺进展趋向是高功率密度，高功率密度的根底是低损耗和器件的关断电流的才能，参考文章《IGBT的电流是若何界说的》，H7的芯片饱和压降比H5大幅下降，以是H7芯片的功率密度更高，沟通电流的芯片尺寸更小，沟通封装能够放更大电流规格的芯片，详细可拜见下一个题目。
H7和H5的开关消耗相比怎样？
答：从下图的折衷曲线咱们能够看到，H7的饱和导通电压Vcesat最低，比S5降低了3%，比H5下降达25%。开关消耗方面，H7的Eon相对S5降低了54%，相对H5降低了77%；而H7的Eoff相对S5降低了27%，相对H5降低了20%，以是整体来讲，H7团体的开关消耗（Eon+Eoff），仍是要比S5和H5更低。
更多对于IGBT7相干信息，请浏览原文检察。
参考浏览
《用数据看TO-247封装单管开尔文管脚的重要性》
《英飞凌IGBT单管定名划定规矩》
