氮化镓(GaN)(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的解决方案。
过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量的“大师”知识来完成，使用测得的负载牵引数据可以提高PA设计的成功率，但不一定能够获得所需应用频率下的负载牵引数据。而使用精确的非线性模型可以更快地生成设计数据，关注更精确的PA 行为，并获得更好的结果。
本文中，我们将为您介绍需要了解的非线性GaN 模型的基础知识。
什么是非线性GaN模型？
对许多工程师来说，设计PA 的第一步是阅读晶体管产品的数据手册并查看S 参数。S 参数文件很有用，但有关器件大信号运行的信息不够充分。此外，PA 设计工程师可以利用测得的负载牵引数据确定最佳负载阻抗目标值，以便在指定频率下实现最佳功率和效率。
然而，设计人员通过仿真模型使用负载牵引数据还可以做得更多。具体来说，通过正确选取的非线性模型，设计人员可以：
·确定最佳负载和源阻抗目标值，以优化任何线性或非线性性能目标。而且可以在模型有效频率范围内的任何频率下快速完成。
·仿真最大工作限值。
·平衡PA 设计人员面临的极具挑战性的线性度、功率、带宽和效率目标。
·加快设计流程，有助于第一次就获得正确的设计。
·降低产品开发成本。
过去几年来，Modelithics 与Qorvo密切合作，开发出广泛的非线性模型库，现涵盖70 多款裸片和封装形式的Qorvo GaN 晶体管。这些模型有助于PA 设计人员准确预测设计中集成的晶体管性能。Modelithics 的仿真模型与最新的电子设计自动化(EDA) 仿真工具无缝集成，包括National Instruments 的NI AWR 设计环境 和Technologies 的高级设计系统(ADS)。
下图显示如何使用仿真模型创建PA 设计。Qorvo 和Modelithics 使用精选模型来生成PA 参考设计，然后，我们制造、测试和记录这些设计，以说明模型准确性和对设计应用的实用性，以及PA电路级的各个GaN 器件功能。
Modelit
