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DDR4实战教学(三):特性与电气参数

时间:2023-11-05 08:07:01 ddr端接电阻电流

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好久没有更,后续会陆续结束。DDR4博文系列。带给你。DDR4的特性,DDR重要信号描述,DDR4的电气参数介绍,基于Hyperlynx的DDR4 SI仿真,DDR4时序参数简介。

本节仅讲解DDR4的特性,DDR4的关键信号功能,DDR4.电气参数。

DDR4有哪些特点?
DDR系列有DDR,DDR2、DDR3、DDR4、DDR2L、DDR3L、DDR4L、最新出现的DDR5.虽然技术在不断进步,但每一代都有许多相似之处。让我们观察一下DDR不难发现主流系列产品的特点。
DDR发展史
显然,电压越来越低,频率越来越高,数据总线从单端发展到差异。我们发现这与总线的发展历史相似。

科学技术的根源仍然是人类最普通的智慧。你不相信吗?让我们举一个不恰当的李子、栗子和例子。如果河的一边有很多李子,河的另一边有很多栗子,如果你只使用人力,尽快来回携带河对面的栗子和李子,你有什么方法?你可以很容易地提出一些计划,同时找到更多的人;找一个游泳快的兄弟;在狭窄的河中移动;两人一组,A扔李子,B扔栗子….

你认为你是故在的,聪明的前辈和你一样,用这种思维DDR的设计上。最开始找了很多人一起搬,所以DDR一开始是并行线设计;后来找了游泳快的人,所以DDR频率不断提高;游泳快但累,要找窄点游,所以DDR工作电平越来越低(电流传输速度一定,电压越低,耗时越短)。来回游泳不是一件事。两个人能组成一个小组吗?你负责搬0,我负责搬1,所以DDR总线逐渐从并行演变为差异。

如上就是DDR技术发展规律,也是许多总线的发展规律。掌握规律,再看特点,DDR4电平1.2V,DQS16000频率为1600Mbps~3200Mbps.

DDR4关键信号是什么?

DDR4有哪些关键信号?一张图就能看清楚。CK,ADDR,DQS,DQ,DQM使能,复位,信号,在电路外,ODT,ZQ。

那这些信号有什么作用呢?接下来我们简要介绍一下。

  1. CK,Address,DQS,DQ,DM信号有什么作用?CK是DDR当CK和Address当信号配合工作时,可以进行CMD(命令)操作和Address(地址)信号传输。因为地址信号和命令信号在DDR操作过程中的控制信号相对DDR数据传输属于小众场景,所以DDR地址信号和CMD信号仍然是单端布线,工作频率低于数据传输。所以不难发现,ADDR信号仍然是单端信号,大多数匹配电阻仍然外置。

由于数据传输才是DDR主营业务,所以在DDR在进行数据传输时,需要增加额外的措施来确保数据传输,因此DDR新角色,DQS,DQ,DM信号。

脉冲选择数据(DQS)是DDR其重要功能主要用于在一个时钟周期内准确区分每个传输周期,方便接收方准确接收数据。每个芯片都有一个DQS信号线,它是双向的,在写入时它用来传送由CPU发来的DQS读取时,信号由DDR生成DQS向CPU发送。可以说是数据的同步信号。甚至可以说,CK和DQS配合,作为DQ数据线的参考时钟,这就是为什么走线时,DQS和DQ一起考虑的原因。

随着时钟的变化,CPU可读取DDR如果在这个连续传输过程中,中位置1、位置2、位置3、位置4的数据,CPU不想位置2的数据,不想中断数据传输,那么有什么办法呢?DQM派上用场,在传输到位置2是,DQM使能可以屏蔽位置2 的数据。

2.什么是ODT?芯片终端匹配电阻On-Die Termination简称为ODT。ODT是从DDR随着产品的升级,后期的产品开始出现,ODT呈现更多的值。当前,ODT主要用于数据(data,DQ)、数据选通(DQS/DQS#)和数据掩码(Data Mask,DM)三种信号线。ODT其功能是取代传统的电路匹配设计,将芯片外的分立端接电阻集成到芯片内部,如下图所示。

ODT引入电路,是的DDR发展的里程碑,ODT有以下优点。

去掉了PCB板上的分立端接电阻元件降低了硬件设计成本。
由于没有端接电阻,PCB布线空间多,设计方便EDA布线。
由于ODT调试工作量可以通过内部寄存器进行调整,软件可以打开和关闭。
芯片内部端接比板级端接更有效,因此寄生效果不大。
减少了外部元件的数量,优化了可靠性。
ODT为了进一步改进DDRx为内存的工作频率铺平了道路。ODT并非都是优点,因为使用了ODT,匹配电阻的种类和数值已经确定并无法修改;在某种程度上也会带来一定的功耗增加,所以在一些消费类的产品上也并不都是开启ODT功能。

3.什么是ZQ校准?ZQ是DDR3之后又加了一个引脚,DDR3正是通过ZQ输出电阻(Ron)和 ODT校准过程正在进行DRAM将在初始化过程中完成。ZQ原理设计相对简单,ZQ引脚通过低公差240Ω(一般公差为1%)电阻可直接连接到地面。

除了眼图,DDR还看电气参数?
DDR设计是否设计OK,就需要看DDR4的测量参数是否满足JEDEC规范。规范中定义了哪些电气参数?每个电气参数的意义是什么?接下来我们简单介绍一下。

  1. 过冲和下冲。如果信号在传输过程中阻抗不连续,则会发生反射。反射表现在示波波形上,即信号上冲和下冲DDR在设计过程中,我们关注的不是信号在某个时间点的过冲幅值,而是时间维度的过冲积分。关注的是一个过程,而不是一个点。


协议规范将在这四个维度上定义信号的完整性。


2.信号的高电平和低电平。在高速信号传输中,信号能否达到协议规定的高电平最低门限和低电平最高门限,也直接决定了产品的稳定性。在DDR在规范中,单端地址和控制命令、单端数据和数据掩码信号AC和DC输入电平、差分时钟和数据选择通信号AC和DC明确定义输入电平。在模拟和测试过程中,只需注意特定场景下的测量值是否达到约定的值。

  1. 差分信号交叉点电压。单端交叉点必须保证在一定范围内,以满足信号的建立和维护时间。

    交叉点以V DD/2作为参考电压,测量相对于V DD偏差越小越好。

  1. 时间顺序要求。时间顺序关系主要需要三组:地址、控制和命令信号和时钟信号;数据选择信号和时钟信号;数据、数据掩码和数据选择信号。PCB还根据信号分组设计地面、控制和命令信号与时钟信号作为一组,数据、数据掩码信号与数据选通信号每一个字节作为一组,相同组的信号在设计时基本会保持长度相差在一定的范围之内,并且设计的方式基本一样(如同组布线在同层、有相同的过孔数等),这样才能保证满足时序的要求。

  2. 斜率降额。总线的规范中有两种测量斜率的方式,分别是常规的测量方式和切线测量方式,以地址、控制和命令信号为例,其定义如下图所示。


这两种测量方式主要由获得波形的质量决定,如果波形的单调性比较好,则以常规方式测量;如果单调性不好,出现一些回钩或台阶,则用切线方式测量。

图中红色框框代表常规斜率测量方法,绿色箭头代表切线方式测量方法。在DDR中,信号的建立和保持时间并不是唯一不变的,会随着斜率的变化而变化,为了弥补斜率造成的影响,在仿真最终的“建立和保持时间”时,测量的时序参数需要与降额参数相加。降额参数与信号的斜率和时钟/数据选通的斜率有关。

本文内容参考《Hyperlynx高速电路仿真实践》—蒋修国,林超文,李增《DDR3详解》—360图书馆。

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