• reset_n:

  • ddr低电平复位信号
  • coms信号，960mV = H， 240mV = L

• cke:

  • cke = 1时，激活ddr内部时钟信号
  • cke = 0时，停用ddr内部时钟信号
  • 在读写过程中必须保持高电平状态

• act_n cs_n:

  • 当act_n = 0 cs_n = 0，RAS_n/A16, CAS_n/A15, and WE_n/A14复用为ACTIVATE 命令行地址；

  • 当act_n = 1 cs_n = 0时，RAS_n/A16, CAS_n/A15, and WE_n/A14复用为RAS_n,CAS_n,WE_n 信号；

    • ras_n, cas_n, we_n与command对应关系如下表所示
      

  • 当cs_n = 所有，所有命令都被屏蔽了

• bg0 ba1 ba0:

  • bax 用于在ACTIVATE,READ, WRITE, or PRECHARGE 命令时作为bank addr；
  • 在配置 MODE REGISTER 时bg0，ba1，ba作为模式寄存器的地址
    • 000 = MR0，001 = MR1，010 = MR2，011 = MR3，
    • 100 = MR4，101 = MR5，110 = MR6，111 = DNU

• adr (A[17:0]):

  • ACTIVATE 用作命令 row address
  • READ/WRITE 命令时，column address
  • 根据容量的不同，地址宽度略有不同Gb时，A16,A17 not care

• odt:

  • ODT=1时，使能ddr4内部终端电阻；
  • 对于x16来说，RTT应用于每个DQ、DQSU\t、DQSU uc、dqslu ut、dqslu uc、UDMün和LDM_n信号。
  • The ODT pin will be ignored if the mode registers are programmed to disable R TT .

• ck_t ck_n:

  • Differential clock inputs
  • All address, command, and control input signals are
    sampled on the crossing of the positive edge of CK_t and the negative edge of CK_c.

• dbi_n:

  • dbi_n引脚可以分为两种模式DM(Data Mask)和DBI(Data bus inversion),具体由MR1的A11，和MR5的A12：A10决定
    

    • TDQS 功能和 DM、DBI功能互斥，所以打开DM或DBI功能需要关闭TDQS，具体有MR1的A11控制
      

    • DM和WRITE_DBI功能也是相互排斥的，两者只能选择一个，由MR5的A12：A10决定
      

    • x4 不支持DM和DBI功能，x8、x16支持DM和DBI功能；x8数据位宽为8，是1Byte，故单pin的dbi_n即可满足DM或DBI功能；x16数据位宽16，26Byte，故双pin的dbi_n(UDBI_n,LDBI_n)满足需求；kcu150开发板有4片x16的DDR4共需要8pin，所以在mig中位宽是8

      inout  [7:0]          c0_ddr4_dm_dbi_n, 

    • DM和DBI低电平有效

    • DM function during Write operation: DRAM masks the write data received on the DQ inputs if DM_n was sampled Low on a given byte lane. If DM_n was sampled High on a given byte lane, DRAM does not mask the write data and writes into the DRAM core.

• dq:

  • 双向数据总线
  • x4 -> DQ[3:0]; x8 -> DQ[7:0]; x16 -> DQ[15:0]
  • kcu105开发板有4片EDY4016AABG-DR-F，16 x 4 = 64bit
  • 如果ia mode register 使能CRC ，则CRC编码数据将跟编码数据将跟踪
  • 如果test via mode register setting MR[4]A[4] = HIGH,则DQ0，DQ1，DQ2，DQ3中的一个或全部将用于监视内部的Vfeg电平。在这种模式下Rtt值应设定为High-Z。该测量用于验证目的，而不是外部电源引脚。

• dqs_c dqs_t:

  • 若TDQS功能在mode register中使能 DRAM 将 Rtt终端电阻作用于DQS_t and DQS_c
  • 上述功能只能用于x8 的DRAMs
  • 若TDQS功能没有使能，则DM/TDQS_t引脚将用于DATA MASK（DM）功能，这时TDQS_c不起作用
    • 它是内存读取内存时产生的双向信号，DQS对数据的沿
    • 写内存时，外部产生（FPGA），DQS数据沿的中间对应
  • 仅用于上述功能x8 和 x16 DRAM
  • tdqs_t复用作DM功能只是在X8系列DDR中，x6 DM功能需要dbi_n复用

• 我采用了xilinx自带ip MIG来驱动DDR4，框图如下：
  

• MIG作为AXI4从设备挂在了axi interconnet上，axi interconnet引出两个主设备来读写MIG（这就是我选用xilinx 标准接口axi4接口的好处，当多个设备同时读写DDR时仲裁机制可有axi interconnet自己完成，这时app接口不具备的）。

• 从上述两个图可以知道MIG中包含MMCM，PLL，BUFG，但是应该怎样配置相关参数呢？
• system_clk:也就是上图的CLKIN，它是MIG的参考时钟有一定的取值范围（参见PG150)不是必须为300MHz
• MMCM_CLK:必须是CK/4 = 1200M / 4 = 300MHz，也就是ui_clk为逻辑层提供时钟，比如说AXI4的时钟。
• D，D0，M这些都是根据system_clk的值以及图中的等式关系，自动计算的。
• clock1- clock4也是MMCM对system_clk分频的结果，如果逻辑层有需要可以勾选配置输出。

• MIG采用了标准的AXI4接口作为数据传输接口
• 看到这里其实已经用标准的AXI4接口读写DDR了（前提是基础配置已经完成了），是不是感觉DDR4也没啥。但是我要说这是xilinx驱动做的太好了，以至于我们可以傻瓜式操作。有些技术还是需要深入学习才能理解的更加深刻。

• 对AXI总线不熟悉的话可以选用app接口，只需要在mig basic界面下去掉axi interface的勾选
  

• axi接口其实就是在app接口的基础上封了一层axi4协议

• 从上图可以看出MIG其实分为三层，物理侧（PHY）、控制层（CTRL）、用户层接口（USER）。现在我们重点看一下用户层

   .c0_ddr4_app_addr              (c0_ddr4_app_addr),
   .c0_ddr4_app_cmd               (c0_ddr4_app_cmd),
   .c0_ddr4_app_en                (c0_ddr4_app_en),

   .c0_ddr4_app_hi_pri            (1'b0),

   .c0_ddr4_app_wdf_data          (c0_ddr4_app_wdf_data),
   .c0_ddr4_app_wdf_end           (c0_ddr4_app_wdf_end),
   .c0_ddr4_app_wdf_mask          (c0_ddr4_app_wdf_mask),
   .c0_ddr4_app_wdf_wren          (c0_ddr4_app_wdf_wren),
   .c0_ddr4_app_wdf_rdy           (c0_ddr4_app_wdf_rdy),
   
   .c0_ddr4_app_rd_data           (c0_ddr4_app_rd_data),
   .c0_ddr4_app_rd_data_end       (c0_ddr4_app_rd_data_end),
   .c0_ddr4_app_rd_data_valid     (c0_ddr4_app_rd_data_valid),
   .c0_ddr4_app_rdy               (c0_ddr4_app_rdy),

• app_addr:

  • 对与DDR4来说app_addr的位宽等于COL+ROW+Bank+Group+BANK

    • EDY4016AABG-DR-F地址划分如下图所示
      

    • 如上图篮框内相加结果10 + 15 + 2 + 1 = 28bit

    • 28bit对应2^28个地址，由于单片EDY4016AABG-DR-F 数据宽度DQ为16bit，所以寻址空间为(2^28) * 16 = 4Gb

    • clk_phy:clk_app=4:1,且phy侧是ddr时序，所以一个用户侧1个clk_phy发送的数据在phy侧应该是4个clk_phy上下两个时钟沿共8（4*2）次才能发送完。如果用户侧是连续地址读写，那么每次地址应该+8；

    • kcu105开发板由4片EDY4016AABG-DR-F拼接而成，他们共用地址总线，DQ的数据宽度为16bit * 4=64bit，按照上述原理用户侧的数据宽度应该是64*8=512bit；

  • 在MIG 配置界面将memory address map配置为ROW_COLUMN_BANK映射模式如下图所示
    

    • memory address map 的配置决定 gp ba row column在地址映射中的顺序，最终影响ddr4的读写方式，例如：按照上述图片的配置方式，地址映射如下表所示，读写ddr时，先读写同行同列同bank的不同gp的数据，然后是同行同列不同bank的数据，再然后是同行不同列的数据，当写满2^13个地址后，才开始换行。在这种模式下行地址刷新的速率远远低于BANK_ROW_COLUMN模式

  • 在PG150文档中上述映射如下图所示
    

  • 所以在上述配置下EDY4016AABG-DR-F的app_addr[27:0]地址映射关系如下表

  • bit30-bit16	bit15-bit6	bit5-bit4	bit3	bit2-bit0
    Row[14:0]	Column[9:0]	Bank[1:0]	Bank Group	col[2:0]

    • 在mig user infc中app_addr为宽为28，查看底层代码低三位是没有的，这与PG150描述有出入
    • Note that the three LSBs of app_addr map to the column
      address LSBs which correspond to SDRAM burst ordering.

• app_cmd(1)

  • 向user infc发送commands，如下表所示

    Operation	app_cmd[2:0]
    Write	000
    Read	001
    wr_bytes	011

  • 若使能ECC，则在wr_bytes操作时需要在app_wdf_mask非0位写1
  • wr_bytes会触发控制器中的read-modify-write flow，只有在ECC模式下使用屏蔽数据进行写入时才需要该流。

• app_en(I)

  • 在app_en置位前，需将app_addr,app_cmd,app_hi_pri数据放置于总线上
  • 上述步骤完成后，app_en置位以此向user intreface发送请求
  • user interface 置位 app_rdy表明握手成功

• app_rdy(O)

  • 用于指示当前向user interface发送的请求user interface是否收到
  • 若fpga将app_en置位后，user interface未将app_rdy置位则该请求需重新发送。
  • 在如下情况下app_rdy不会置位
    • PHY/Memory 初始化未完成
    • All the controller Group FSMs are occupied (can be viewed as the command buffer being full).
      • A read is requested and the read buffer is full.
      • A write is requested and no write buffer pointers are available.
    • 一个读周期被插入

• app_wdf_wren(I)

  • indicates that the data on the app_wdf_data[] bus is valid.

• app_wdf_data(I)

  • 为预写入ddr的数据
  • ECC OFF,位宽 = 2 X nCK_PER_CLK X DQ_WIDTH = 2 X 4 X 64 = 512bit
  • ECC ON,位宽 = 2 X nCK_PER_CLK X (DQ_WIDTH - ECC_WIDTH) = 2 X 4 X (72 -8) = 512bit

• app_wdf_end(I)

  • 用于表示app_wdf_data bus 上的数据在本次写周期内达到了最后一个数据
  • 对于Back-to-Back Write写，每个时钟周期都认为是一个写周期，每个数据都认为是最后一个数据，所以app_wdf_end一直为H，如下图
    

• app_wdf_rdy(O)

  • This output indicates that the write data FIFO is ready to receive data.
  • Write data is accepted when app_wdf_rdy = 1’b1 and app_wdf_wren = 1’b1.

• app_wdf_mask（I）

  • This provides the mask for app_wdf_data[].
  • 区别于phy侧DM信号，该信号高电平有效，每bit对应1Byte app_wdf_dat,app_wdf_dat位宽512所以app_wdf_mask位宽 = 512 / 8 = 64bit

• 提到DDR底层就绕不开各种时间，现在挑几个重点的来说一下。

    parameter         tFAW                    = 37,//In DDR4 clock cycles
    parameter         tRTW                    = 13, // CL + (BL/2) - CWL + 4tCK In DDR4 clock cycles
    parameter         tWTR_L                  = 10, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tWTR_S                  = 4, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tRFC                    = 313, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tREFI                   = 9363, //In DDR4 clock cycles
    parameter         ZQINTVL                 = 1200480193, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tZQCS                   = 128, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tRP                     = 16, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tRRD_L                  = 8, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tRRD_S                  = 7, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tRAS                    = 39, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tRCD                    = 16, //In DDR4 clock cycles
    parameter         tRTP                    = 10, //In DDR4 clock cycles

    parameter         tWR                     = 20, //In DDR4 clock cycles

• CAS Latency（CL）
  • 从CAS（Column Active）发出，到DQS生成的间隔。
  • 以t_CK个数为单位
  • 在实际工作中，Bank地址与相应的行地址是同时发出的，此时这个命令称为“行激活”（Row Active），在此之后将发出列地址、bank地址与读写命令，此时称这个命令为“列激活”（Column Active）。
  • 这里有个误区，开始认为bank地址只有在行激活时才有效，经过仿真发现在列激活时bank地址也是有效的
• t_RRD_S
  • 决定位于不同groups 的两个Bank间的ACTIVATE命令时间间隔
• t_RRD_L
  • 决定位于同groups 的两个Bank间的ACTIVATE命令时间间隔
• t_FAW
  • 该参数制约不同groups 间的ACTIVATE命令个数，对于x16的DDR，每个groups有4个bank，所以tFAW时间间隔内不能发送超过4个ACTIVATE命令
• t_RCD
  • 从行命令有效到读/写命令之间的时间间隔
  • 以t_CK个数为单位

• 4片X16 DDR4

  Operation	AXI_4	app	phy
  时钟	300M	300M	1200M
  数据位宽	512bit(64Byte)	512bit(64Byte)	64bit(8Byte)
  数据结算方式	Byte	Byte	2Byte
  每个时钟地址增加	64	8(注1)	2(注2)
  3332ps传输次数	1	1	8
  3332ps传输总量	64Byte * 1(次)	64Byte * 1(次)	8Byte * 8(次)

  注1：该地址为app_addrr地址，与phy侧地址一一对应，phy侧数据位宽即dq为宽为64（4片并联），表明phy侧每个时钟沿传输8byte。axi侧（或app侧）一个时钟发送数据总量为512bit（64Byte），会导致phy侧发送4个时钟周期共8次，也就是说phy侧地址增加8
  注2：phy侧为ddr时序，每个时钟周期会触发两次传输，所以每个时钟phy侧地址增加2

• 不论DDR4内部实际存储空间怎样排布，对于 X16 的DDR4从phy侧看地址排布方式如下

                     +-----+
                     |16bit|   <-phy_addr[0]
                     +-----+
                     |16bit|   <-phy_addr[1]
                     +-----+
                     |16bit|   <-phy_addr[2]
                     +-----+
                     |16bit|
                     +-----+
                     | .   .  . |
                     +-----+
                     |16bit|
                     +-----+
                     |16bit|  <-phy_addr[gp + ba + row + col -1]
                     +-----+

• 对于4片并联 X16 的DDR4从phy侧看地址排布方式如下

          |----------共64bit----------|
          +-----++-----++-----++-----+ 
          |16bit||16bit||16bit||16bit|   <-phy_addr[0]
          +-----++-----++-----++-----+ 
          |16bit||16bit||16bit||16bit|   <-phy_addr[1]
          +-----++-----++-----++-----+ 
          |16bit||16bit||16bit||16bit|   <-phy_addr[2]
          +-----++-----++-----++-----+ 
          |16bit||16bit||16bit||16bit| 
          +-----++-----++-----++-----+ 
          | .    .   . .   . .  .  . |
          +-----++-----++-----++-----+ 
          |16bit||16bit||16bit||16bit| 
          +-----++-----++-----++-----+ 
          |16bit||16bit||16bit||16bit|  <-phy_addr[gp + ba + row + col -1]
          +-----++-----++-----++-----+