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数模电的重要问题

7.锁相环的原理

许多电子设备需要正常工作，通常需要外部输入信号与内部振荡信号同步，使用锁相环路。
锁相环是一种反馈控制电路，简称锁相环（PLL,Phase-Locked Loop）。锁相环的特点是利用外部输入的参考信号控制环内振荡信号的频率和相位。
锁相环通常用于闭环跟踪电路，因为锁相环可以实现输出信号频率对输入信号频率的自动跟踪。在工作过程中，当输出信号的频率等于输入信号的频率时，输出电压与输入电压保持固定的相位差，即输出电压与输入电压的相位被锁定，这就是锁相环名称的由来。
锁相环通常由鉴相器组成（PD,Phase Detector）、环路滤波器（LF,Loop Filter）和压控振荡器（VCO,Voltage Controlled Oscillator）锁相环的原理框图如图所示。

锁相环中的相位比较器又称相位比较器，其功能是检测输入信号和输出信号的相位差，并将检测到的相位差信号转换为相位比较器 uD（t）低通滤波器滤波后，电压信号输出形成压控振荡器 uC（t），控制振荡器输出信号的频率。

因此差分放大电路一般做集成运算 输入级和中间级。

42 学过哪些器件？ mos 三种非线性效应(衬偏效应、短沟、沟长调节效应 不知道对不对)
衬偏效应：衬偏电压是为了防止 MOSFET 场感应结、源结和漏结正偏，并在源衬底之间增加反向电压。即身体效应。
短沟效应：缓变沟的近似性不再建立，这种二维电势分布会导致阈值电压 L 由于隧道穿透效应，亚阈值特征的降级和电流饱和失效，以及沟道中的二维电势分布和高电场，这与长沟不同 MOS 晶体管特性的现象统称为短沟效应。
沟道长度调制效应：MOS 在晶体管中，如果栅下沟预夹断后继续增加 Vds，断裂点将略微向源极方向移动。因此，断裂点与源极之间的通道长度略有降低，有效通道电阻略有降低，使更多的电子自源极漂移到断裂点，导致耗尽区域漂移电子增加 Id 增加效果。
(表面迁移率很大，窄沟效应也是)
（# 这个问题太偏了，赌他不考)

43.电路不稳定的原因(自激振荡) 解决办法 相位裕度越大越好 老师提示增益带宽积)
原因：自激振荡
解决方案：可采用频率补偿（又称相位补偿）的方法，消除自激振荡。常用的补偿方法包括电容滞后补偿：在放大电路中选择时间最大的电路并联一个小电容器，以便当相移 180 当度时，其高频放大倍数幅值降至 0 下面，由于该补偿是该频率对应的相位滞后，因此称为滞后补偿。其他还有 RC 滞后补偿和密勒效应补偿。
消除负反馈电路自激振荡的方法激振荡的方法： 一、滞后补偿
1.简单滞后补偿
2.RC 滞后补偿
3.密勒效应补偿2.提前补偿
不，增益带宽积：放大器带宽和带宽的增益乘积是简单测量放大器性能的参数。当频率足够大时，增益带宽积是常数。
获得大相位裕度会降低带宽，增益增大，最高特征频率会降低，影响高频放大能力。所以不要太大。
（# 这题太偏，赌他不考）

锁相环能形成什么电路？闭环跟踪电路

55.有源滤波器和无源滤波器有什么区别？
区分有源滤波器和无源滤波器最简单的方法就是看是否需要电源。最大的区别在于有源滤波器可以有增益，无源滤波器可以衰减。
一、有源滤波（APF）与无源滤波（FC）滤波原理不同。
无源滤波器主要使用阻容元件 LC 谐振特性在系统中形成一个低阻通道，与系统阻抗并联分流，使谐波成分流过滤波系统。也就是说，无源滤波器是由电容器和电抗器形成的 LC 谐振电路滤波电网系统中的一次或几次谐波，从而达到系统滤波的效果。
有源滤波 APF 它利用现代电力电子设备主动产生与系统谐波大小相等的谐波，以抵消系统产生的谐波。
概括地说 FC 属并联分流，APF 主动抵消。2)功耗的差异
由于电阻和电感的阻抗，无源滤波器的功耗仍高于有源滤波器，电路延迟较大。有源滤波器的功耗相对较小， 而且在通带内不会有衰减，而通过设定滤波器的 Q 值，可以改变放大倍数。
3)应用领域的差异
无源滤波电路通常用于电源电路，如直流电源整流后的滤波器，或大电流负载 LC(电感、电容)电路滤波。
一般由有源滤波电路组成 RC 网络和集成运输组成，必须在适当的直流电源下使用，也可以放大。但电路的组成和设计也很复杂。
有源滤波电路不适用于高压大电流，只适用于信号处理。

66.mos 有哪些？
MOS 利用半导体表面的电场效应，通过感应电荷的变化来控制漏极电流。（JFET 漏极电流由耗尽区域的宽度变化引起。MOS 有 N 沟道增强型 MOS 场效应管，N 沟道耗尽型 MOS 场效应管，P 沟道增强型 MOS 场效应管,P 沟道耗尽型 MOS 场效应管。
优点：1、输入阻抗高，速度可达100兆以上；2、工作频率范围宽，开关速度高
(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；3.功率 mosfet 多并联使用可增加输出电流，无需均流；4.Mosfet 它是一种电压控制装置，因此在驱动大电流时不需要驱动级，其电路相对简单；5.线性区域优良， mosfet 输入比双极输入电容小得多，因此其交流输入阻抗极高，噪声也小。

模电

20.共射极放大电路一般有哪些放大电路？ 答:有上基偏、分压式和集-基反馈式。

哪些放大电路适合放大器的图解？ 放大器的图解一般适用于共射式上基偏单管放大器和推拉式功率放大器。

39在共发射极放大电路中稳定工作点的方法是什么？ 答:引入电流串联负反馈。

多级放大电路的级间耦合通常有多少种方式？ 答:阻容耦合、直接耦合、变压器耦合

直接耦合放大电路的特殊问题是什么？如何解决？ A:零点漂移是直接耦合放大电路的最大问题。最基本的解决方案是使用差分放大器。

为什么三级放大电路最常见？ 答:级数太少，放大能力不足，零点漂移难以解决。

电压跟随器是一种电压串联反馈放大器。

61.电压跟踪器的主要用途是什么？

答：电压跟踪器的主要用途：一般用于多级放大电路的输入级、输出级，也可连接两个电路，起缓冲作用。

63.一般来说，功率放大器分为几类？
答：根据晶体管在整个周期中的导角，可分为A类、B类、AB类、C类和丁类。根据电路结构的不同，可分为变压器耦合和无输出变压器OTL、无输出电容OCL、桥式推拉功率放大电路BTL。

84.高通电路频率的特点是什么？
答:高通电路在低频段放大倍数值，产生先进相移。

85.低通电路的频率特性是什么？
答：低通电路在高频段放大倍数数值下降，且产生滞后相移。

93、 变压器耦合功率放大电路是什么？
答：输入耦合变压器和输出耦合变压器的功率放大电路称为变压器耦合功率放大电路

94、 变压器耦合功率放大电路的优缺点是什么？
答:变压器耦合功率放大电路的优点是可以实现阻抗变换。缺点是体积大、体积大、消耗有色金属、频率低、低频、高频特性差。

95、 什么是OCL电路？
答：OCL电路是指无输出耦合电容的功率放大电路。

96、OCL电路的优缺点是什么？
答：OCL该电路具有体积小、重量轻、成本低、频率特性好的优点。但它需要两组对称的正负电源，在许多情况下不够方便。

97、什么是OTL电路？
答：OTL电路是一输出耦合变压器的功率放大电路。

98、OTL电路的优缺点是什么？
答：OTL电路的优点是只需要一组电源。缺点是需要将一组电源变成两组对称正负电源的大电容；低频特性差。
(# 因为有输出耦合电容？

99、什么是BTL电路？
答：为实现单电源供电，无变压器、大电容器，可采用桥式推拉功率放大电路，简称BTL电路。

100、BTL电路的优缺点是什么？
答：BTL电路的优点是只需要单电源，不需要变压器和大电容器，输出功率高。用管子数量多，很难做到管子特性理想对称，且管子总损耗答，转换效率低。

101、目前使用最广泛的功率放大电路是什么？
答：目前使用最广泛的功率放大电路是OTL和OCL电路。

105、OTL功率放大器的最大输出功率

109、功率放大电路的最大不失真的输出电压是多少？
答：功率放大电路的最大不失真的输出电压幅值等于电源电压减去晶体管的饱和压降，即：Uom＝Vcc－UCES。

113、什么是功放管的一次击穿？
答：功放管的一次击穿是指，当晶体管的CE间电压增大到一定数值时，集电极电流骤然增大的现象。

114、什么是功放管的二次击穿？
答：功放管的二次击穿是指，当晶体管一次击穿后，若不限制集电极电流，晶体管的工作点将以高速度变化，从而使电流猛增而管压降减小的现象。
119、抑制零点漂移的方法有哪些？
答：抑制零点漂移的方法有：
⑴在电路中引入直流负反馈；
⑵采用温度补偿的方法，利用热敏元件来抵消放大管的变化；
⑶采用"差动放大电路"。

122、 共模信号和零点漂移以及温度漂移有什么联系？
答：温度漂移是引起零点漂移的主要原因，所以一般讲的零点漂移就是指温度漂移。温度的变化对差动放大电路来说，实际上就相当于一个共模信号。

124、 什么是差模信号？
答：差模信号是两个输入信号之差。

125、 什么是共模信号？
答：共模信号是两个输入信号的算术平均值。

130、差动放大电路的四种接法是什么？
答：根据输入、输出端接地情况不同，差动放大电路分为双入双出、双入单出、单入双出、单入单出四种。

131、在差动放大电路中，当输入共模信号时，对于每边晶体管而言，发射极等效电阻是多少？
答：发射极等效电阻为2Re。

132、在差动放大电路中，当输入差模信号时，对于每边晶体管而言，发射极等效电阻是多少？
答：发射极等效接地。

133、在双出接法的差动放大电路中，当输入差模信号时，对于每边晶体管而言，接在两个晶体管输出端间的负载等效电阻是多少？
答：负载等效电阻是1/2RL。

134、四种接法的差动放大电路，输入电阻会不会发生变化？
答：输入电阻不会发生变化。

135、四种接法的差动放大电路，输出电阻会不会发生变化？
答：双出接法的输出电阻是单出接法的两倍。

136、四种接法的差动放大电路，差模放大倍数会不会发生变化？
答：双出接法的差模放大倍数是单出接法的两倍。

137、常见的电流源电路有哪些？
答：常见的电流源电路有：镜像电流源电路、比例电流源电路、微电流源电路。

138、电流源电路在放大电路中有什么作用？
答：电流源电路在放大电路中的作用是：
⑴为放大管提供稳定的偏置电流；
⑵作为有源负载取代高阻值的电阻。

139、镜像电流源电路结构有什么特点？
答：镜像电流源电路由两只特性完全相同的管子构成，其中一只管子的基极和集电极连在一起接电源；同时两只管子的发射极都没有接电阻。

140、比例电流源电路结构有什么特点？
答：比例电流源电路由两只特性完全相同的管子构成，其中一只管子的基极和集电极连在一起接电源；同时两只管子的发射极都接有电阻。

141、微电流源电路结构有什么特点？
答：微电流源电路由两只特性完全相同的管子构成，其中一只管子的基极和集电极连在一起接电源；另一只管子的发射极接电阻。

142、 集成运算放大器是什么器件？
答：集成运算放大器就是高放大倍数的直流放大器。

143、集成运算放大器的频率特性具有什么特点？
答：集成运算放大器的频率特性具有低通特点，上限截止频率不高，一般在1M以内。

145、 什么是理想运放？
答：集成运放特性理想化就是理想运放，即理想运放的Rid ->∞、Rod ->0、开环电压放大倍数 ->∞等。

148、 集成运算放大器几乎可以应用于模拟电路的各个方面，试举例说明。

答：集成运算放大器可实现各种运算电路，如比例器、加法器、减法器、微分器及积分器等。

149、 集成运算放大器几乎可以应用于模拟电路的各个方面，试举例说明。
答：集成运算放大器可实现各种信号处理，如滤波器等。
答：集成运算放大器可实现各种交流、直流放大。
答：集成运算放大器可用于产生正弦波及实现各种波形变换。

155、集成运算放大器构成的电路级与级之间的联接有什么特点？
答：由于集成运算放大器的输入电阻Rid很高、输出电阻Rod很低，容易实现级与级之间的联接。

158、 正弦波振荡器主要由哪些部分组成？
答：正弦波振荡器主要由处于放大状态的放大器、选频网络和反馈网络组成。

159、 产生正弦波振荡的条件是什么？
答：产生正弦波振荡的条件是
（1）起震时满足起震条件：AF＞2nπ
（2）平衡后满足平衡条件：AF＝2nπ

160、 ++ 振荡器内容？？？

183、 什么是滤波器的特征频率f0？
答：滤波器的特征频率f0是一个由电路决定的具有频率量纲的常数。

184、什么是滤波器的品质因数Q？
答：滤波器的品质因数Q是一个描述滤波器过渡特性的常数。

185、当Q＝0.707时的滤波器有什么特点?
答: 当Q＝0.707时的滤波器,其过渡特性平坦,且截止频率数值上等于特征频率。

194、 ++ 三端式稳压器，开关稳压电源？？？

从信号反馈的角度来看，振荡器属于正反馈放大电路。

数电

模电需要注意的点

放大状态下BJT的工作原理：
1、BJT内部的载流子传输过程
1、因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。
2、发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。
3、因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。
总结载流子转移：
IE
1、发射结加正向电压，e区的多子电子通过发射结扩散到基区形成IE,与电子方向相反。
2、发射区发射的电子在基区积累,并以发射结边沿形成浓度梯度。
IB：基区电子两个方向
1 、基区正电源VBB从基区拉电子形成IB（电子与空穴复合）。
2 、其余大部分到达集电结。（基区很薄，掺杂浓度低。）
IC：
1、集电结反向电压，形成反向饱和电流Icbo,少数载流子形成漂移电流。
2、集区对基区扩散到集电结边缘的电子强吸引，电子很快漂移到集电区形成Ic。
三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。

JFET:
以N沟道为例说明其工作原理。
当UGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当UGS<0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，UGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UGS(off)。

MOSFET:
耗尽型MOSFET
N沟道耗尽型的结构和符号如图3(a)所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当UGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当UGS>0时，将使ID进一步增加。UGS<0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。N沟道耗尽型的转移特性曲线如图30(b)所示。
增强型MOSFET：
结构与耗尽型类似。但当UGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时，若0UGS(th)时，形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在UGS=0V时ID=0，只有当UGS>UGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。

双电源乙类互补对称电路又称为OCL电路

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Reference

https://wenku.baidu.com/view/3793ea250aa1284ac850ad02de80d4d8d05a0177.html
https://www.wendangwang.com/doc/9bb1da109ebec47d22cc9e3cbec7b969e3b07690/11
https://blog.csdn.net/baidumcu/article/details/4787148

https://www.docin.com/p-420859956.html