三极管驱动和MOS管驱动的区别

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三极管和MOS管理工作原理的差异：

a. 三极管是电流控制元件，MOS 管道为电压控制元件；
b. 正常工作时，三极管的两个PN 一个正偏一个反偏，而MOS 管的两个PN 结均需
反偏；
c. MOS 它主要通过多子载流子导电，是一种单极设备。多子载流子和三极管少子载流子
载流子参与导电，是双极装置；
d. MOS 管道可在低电流、低电压下工作，因此广泛应用于半导体集成电路。

三极管和MOS管道工作应用的差异：

1.MOS管道损耗小于三极管，导通后压降理论为0。

2.MOS管道为电压驱动型，只需给电压即可，即使串入100K的电阻，只要电压够，MOS管道仍能导通。

3.MOS管的温度特性要比三极管好。

MOS管比三极管最大的一点是驱动功率小，使用MOS管道电源驱动，只需要驱动电压信号，可以控制大电源电流（几个安培到几十个安培），控制非常方便，如果使用三极管，需要几级驱动电路，控制电流逐渐增加，即多级放大，常见的方式是达林顿电路，所以电路设计非常繁琐，调试困难。

三极管（BJT）是电流控制器件，MOS是电压控制装置，三极管需要较大的控制电流，往往需要逐步放大，而且MOS管道的栅极电流非常小，几乎可以忽略不计MOS管饱和导通产生的压降比BJT饱和压降低，耗散功率小，效率高。因此，将选择一般的功率开关管MOS管而不是BJT。

不过MOS管道没有缺点，因为MOS管网电容器的自然缺点会影响其开关速度。同样用途的管道一般BJT要比MOS速度更快。

另外MOS管的输入阻抗接近无穷，所以最大程度的分压，用作开关静态时，漏电小，功耗小，可靠。