Memory内存种类大全与简介

（原文：https://tech.hqew.com/news_1538989）

根据组件的不同，RAM内存分为以下18种:

01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存储器):

这是最常见的RAM，电子管和电容器形成一个位置存储单元，DRAM将每个内存位置作为电荷存储在存储单元中，并使用电容器的充放电作为存储动作。但由于电容器本身存在漏电问题，必须每几微秒刷新一次，否则数据将丢失。存取时间与放电时间一致，约2~4ms。由于成本相对便宜，通常用作计算机中的主存储器。

02.SRAM（Static RAM，静态随机存储器)

静态是指内存中的数据可以在不需要随时访问的情况下长期存储。每六根电子管组成一个位置存储单元。由于没有电容器，可以正常运行，无需持续充电。因此，它可以比一般的动态随机处理更快、更稳定，通常用于高速缓存。

03.VRAM（Video RAM，视频内存）

其主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效减轻绘图显示芯片的工作负担。采用双数据端口设计，一个是并行数据输出端口，另一个是串行数据输出端口。主要用于高级显卡中的高端内存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，动态随机存取存储器的快速页切换模式）

改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT读写数据时，必须每次发送出行地址和列地址。而FRM DRAM触发行地址后，如果CPU所需地址在同一行中，可连续输出列地址，无需输出行地址。由于一般程序和数据在内存中排列的地址是连续的，因此所需的数据可以在输出行地址后连续输出列地址。FPM将记忆内部分成许多页数Pages，从512B到数KB不读取连续区域内的数据时，可以通过快速页面切换模式直接读取每个数据page内部数据大大提高了读取速度。在486年和96年之前PENTIUM时代初期，FPM DRAM广泛使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器)

这是继FPM后来出现的一种存储器通常是72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样存取每一个BIT 在读写有效数据之前，必须输出旅行地址和列表地址并稳定一段时间，然后才能读写下一个BIT输出前必须等待读写操作完成。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模型快15%左右。一般用于中档以下。Pentium后期的486系统开始支持主板标准内存EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。。

06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，动态随机存数据输出动态随机存取存储器

这是改良型的EDO DRAM，它是由美光公司提出的，它在芯片上添加了一个地址计数器来跟踪下一个地址。这是一种突然的读取方式，即当数据地址发送时，剩余的三个数据只需要一个周期就可以读取，因此可以一次访问多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM内存主板很少，只有少数提供支持(比如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。

07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）

MoSys公司提出的内存规格内部分为不同类别的小型存储库 (BANK)，也就是说，它由几个小单位矩阵组成。每个存储库以高于外部数据的速度相互连接。一般用于高速显示卡或加速卡，也有少数主机板L2高速缓存中。

08.WRAM（Window RAM，随机存储存储器的窗口)

韩国Samsung公司开发的内存模式是VRAM内存改进版的区别在于其控制线有一、二十组输入/输出控制器，并采用EDO数据访问模式相对较快，并提供区块移动功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存储存储器)

Rambus一种由公司独立设计的内存模式，速度一般可达500~530MB/s，是DRAM超过10倍。然而，内存控制器在使用内存后需要相当大的变化，因此它们通常用于专业图形加速适应卡或电视游戏机的视频内存。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器)

这是一种与CPU实现外频Clock168Pin工作电压为3的内存模块.3V。 所谓clock同步是指内存可以和谐CPU同步访问数据可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，从而提高计算机的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存储存储器)

SDRAM改良版，它用块Block，即每32bit对于基本访问单位，单独收回或修改访问数据，减少整体内存读写次数。此外，还增加了绘图控制器，以满足绘图的需要，并提供区块移动功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存储器)

一般的SRAM是非同步，适应CPU速度越来越快，需要使其工作时脉与系统同步，即SB SRAM原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管道爆发式静态随机存储存储器)

CPU外频速度的快速提高对匹配的内存提出了更高的要求，管道爆炸性SRAM取代同步爆发式SRAM由于能有效延长访问时脉，有效提高访问速度，因此成为必然选择。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate同步动态随机存取存储器的二倍速率）

作为SDRAM替代产品有两个特点：一是速度比SDRAM两倍的改进；二是采用DLL（Delay Locked Loop：延迟锁定电路)提供数据滤波信号。这是当前内存市场的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存储存储器)

这是一种扩展型SDRAM结构内存不仅增加了更先进的同步电路，而且改进了逻辑控制电路，但由于技术显示，投资实用性并不小。

16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存储存储器)

这是三菱电气公司开发的第一项专利技术DRAM芯片的外插针和内插针DRAM插入一个SRAM作为二级CACHE使用。现在，几乎一切CPU都装有一级CACHE随着效率的提高CPU时钟频率成倍增加，CACHE不选择对系统性能的影响会越来越大，CACHE DRAM提供的二级CACHE只是用来补充CPU一级CACHE因此，它可以大大提高CPU效率。

17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双速动态随机存取存储器)

DDRII 是DDR原有的SLDRAM1999年联盟解散后，现有研发成果和DDR整合后的未来新标准。DDRII详细规格尚未确定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)

它是下一代的主流内存标准之一Rambus 公司的设计和开发是将所有接脚连接到一个共同点Bus，这不仅可以减少控制器的体积，还可以提高数据传输的效率。

二、ROM(READ Only Memory，只读存储器)

ROM它是线路上最简单的半导体电路。它是通过掩模工艺一次性制造的。件正常工作时，代码和数据将永久保存，无法修改。一般用于PC主机板上的系统程序代码、程序代码 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等等。其读取速度比RAM慢很多。

根据组件的不同，ROM内存分为以下五种:

1.MASK ROM(掩模只读存储器)

为了大规模生产，制造商ROM内存需要先用原始数据制作一个内存ROM或EPROM作为样本，然后大量复制。这个样本是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。

2.PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器)

这是一种可以用刻录机写入的信息ROM内存只能写一次，所以也叫一次只读存储器(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM出厂时，存储的内容都是1，用户可以根据需要在数据0(部分)中写入一些单元PROM出厂时数据全部为0，用户可将部分单元写入1)， 实现编程的目的。

3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器)

这是一种可擦除功能，擦除后可重新编程ROM内存在写入前必须用紫外线照射内容IC清除卡上的透明窗户。这种芯片更容易识别，包括一个编程的石英玻璃窗EPROM芯片的石英玻璃窗一般用黑色不干胶纸盖住， 防止阳光直射。

4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器)

功能与使用方法相结合EPROM同样，区别在于清除数据，大约是20V清除电压。此外，它还可以用电信号写入数据。ROM内存多用于即插即用（PnP）接口中。

5.Flash Memory(快闪存储器)

这是一种可以直接在主板上修改内容而不需要IC拔下的内存，当电源关闭时，存储在其中的数据不会丢失。写入数据时，必须先清除原始数据，然后再写入新数据。缺点是写入数据的速度太慢。