1、2021年11月23日：
“关于nmos当衬底电压低于源极电压时，阈值电压会变高。p衬底中的空穴被赶出栅区，留下负离子形成耗尽层。界面电势足够高后，形成反向层。此时，电压Vg称为阈值电压。需要注意的是，p衬底是空穴为多子，Vg上升就是赶空穴留电子，而不是吸引电子来中和空穴。因此，当衬底电压低于源极电压时，会吸引空穴排斥电子，使栅区耗尽层变大，相当于Vg排斥空穴的能力变弱，需要Vth变大。

书P30，“Vsb增加，身体效应减弱。gmVgs与gmbVbs具有相同的极性，即增加格栅压力与增加衬底电压相同。体效应是指Vb下降，Vth增加（Vs=Vd=0,Vg略小于Vth在没有反形层的情况下，使栅下有耗尽层)。为了增加漏极电流，增加了栅压。增加衬底电压，Vbs变大，gmb也变大，等效vbs*gmb漏极电流也变大了。Vsb增加，身体效应减弱，还有一些反应。

1.2022年1月6日，书上112页CMRR的计算，之前没有把差模增益算出来，这回进行了计算：

1.2022年1月6日。关于共源共栅电流镜两种使Vds一种相等方法的想法。Vds1=Vgs1=Vgs2。Vds2>=Vgs2-Vth在饱和区工作。在书的127页，图5.12，上有X，Y点，X点是M1的漏区，Y点是M2的漏区。若不做任何处理，且右侧刚好满足漏源电压等于过驱动电压，X点电压高于Y点电压Vth的。所以有两种方法可以平衡，第一种是提高右Y点电压Vth，成本是电压余度低Vth，二是左侧X点下降Vth，就像书中使用电阻降压一样，满足电阻上的压降Vth，成本是电阻会引入热噪声或影响电路速度(这两个我自己拉的，应该有，错了可以纠正。）

2、2022年1月6日，这部分最重要的就是五管OTA算了吧，第一次看的时候还是没好好看书，原来电子版的第二版拉扎维这里都有印刷错误：

       公式（5.27）多出来一个2。书这部分的内容也有很多错误，比如节点X，F，Y傻傻分不清楚。原来别人的正版书都没有错误。前天，下单了一本正版书，看来这个钱是省不下了。

2022.4.10
       需要注意源跟随器的输入阻抗的负阻效应与输出阻抗的感性，比较特殊。

2022.4.10
       这部分没什么坑。

2022.4.10
1、反馈部分的一部分总结：
       按反馈网络的输入输出端来讲，输入端检测电压就要并联，并联就要降低电阻，检测电流就要串联，串联就要增加电阻；输出端输出电压就要串联，串联就要增加电阻，输出电流就要并联，并联就要降低电阻。

2、之前一直忽略了加载效应（一算那些公式就想睡觉）这里补回来了：
       加载效应用到了二端口网络模型，一共四种网络模型。如何确定前馈网络与反馈网络使用哪种模型呢？就看那个X21（这里的X泛指Z，Y、H、G）。比如前馈网络是电阻型，那只有Z21符合，剩下的类比使用。选定好网络后，加载部分一般是{z11 z22}{y11 y22}{h11 h22}{g11 g22}。快速写一下公式或者心里想一下，就知道反馈端短路还是开路了。需要注意的是反馈与前馈的输入输出是反着的，不要搞混了。

2022.3.1
       发现一个我一直忽略的逻辑错误！！！nmos构成电阻负载共源极，漏电流上升时，由于电阻压差增加，漏端电压下降；pmos构成的电阻负载共源极，漏电流上升，电阻压差增加，漏端电压上升。因为一个相对于地，一个相对于电源电压。这么简单的错误，今天才发现，我就说我看图9.54下面的话总觉得别扭，原来我一直没考虑过pmos的情况！（实属不该）

2022.4.10
       文章上来就是深亚微米效应，速度饱和与纵向电场导致的迁移率退化，这个非常重要，不过知道结论就行了，仿真的时候特别明显，各种参数飘来飘去全拜这些二级效应所赐。

       正在看。

       给我别的帖子来引个流，嘿嘿。
       小刘同学的模拟IC仿真记录(初学virtuoso ic 618)