MOS管栅极驱动电流计算

我们知道MOS理论上，管道由电压控制MOS管道电流为零。但半导体不是理想的装置，必然会有一些寄生参数。阅读LT芯片手册可以知道，栅极驱动电流公式如下图。

Fsw开关频率，Qg为mos管栅充满了所需的电荷 。 MOS管以BSC109N10NS3为例 ，查看该mos管芯片手册可以知道

Qg为50nC左右。通过上述公式计算。Igate = 25mA。 但问题来了，如下图所示

INTVcc电流驱动能力为23mA，也就是说，开关频率超过5000K之后就不能正常驱动这个了MOS但我把开关频率改为900K之后，电路从表面正常运行。为了找出答案，我决定测试一下MOS管道驱动波形。

波形看起来大致没有问题。放大波形时，可以看到栅极电压升高时有振铃。这实际上是MOS弥勒效应引起的冲击。这种冲击无疑增加了MOS管道开关损耗。我以前谈过MOS管驱动电流问题，这个震荡问题其实从侧面也反应了这个芯片在Qg = 50nC，开关频率 = 900KHz驱动能力不足的问题。