硅电容压力传感器特点

电容压力传感器以硅材料为基础，采用电容原理，即利用电容极间距变化将压力转化为电容变化MEMS工艺传感器。硅电容压力传感器具有以下特点：
适用于批量生产，成本低
使用硅电容压力传感器MEMS芯片尺寸为3mm×3mm，一个4英寸的硅片可以数百个元件。工艺性好，性能一致，适合批量生产，运行成本低。其制备工艺及IC工艺兼容，工艺设备不需要像硅谐振传感器那样昂贵和复杂，也不需要像金属薄膜电容传感器那样单件生产，以确保硅电容传感器具有能和价格比。
稳定性好
硅电容压力传感器是一种结构传感器，其稳定性优于物理传感器，从结构设计的角度保证了传感器的稳定性；结构工艺采用全硬密封固体工艺，硅玻璃金属导压管采用静电密封，减少应力、滞后、变差；电容对温度不敏感，温度附加误差小，不需要像硅压阻器件那样进行复杂的温度补偿。稳定性好是硅电容传感器深受用户青睐的主要原因之一。
指标先进
电容传感器本身具有功率小、阻抗高、静电引力小、活动质量小、发热影响小等特点，可进行非接触测量。非线性、过载、静压、可靠性等硅电容传感器优于硅压阻传感器、陶瓷电容传感器、金属膜片电容传感器。它相当于硅谐振传感器，特别是用户追求的非线性指标，通常比0更好.05％FS成品率大于60%。
主要问题
由于其检测原理是采用电容极间距变化，这种极间距变化本身是非线性的。为了改善非线性，开发了接触式、变面积、变极距串联等复杂的芯结构。另一个问题是解决弱电容信号的检测问题。