【模拟集成电路】学习笔记 1（待更新）
时间：2022-10-06 17:30:01
文章目录
- 模拟集成电路
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- Chapter 1 MOSFET
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- 1.1 电路与部件的关系
- 1.2 元器件
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- 有源与无源的区别
- 有源与无源的联系
- 无源设备：电阻
- 无源设备：电容和电感
- 有源器件：二极管
模拟集成电路
Chapter 1 MOSFET
1.1 电路与部件的关系
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Circuits = Elements Connection.
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电路设计的两个方面：
形式-电路结构，即电路的连接
内容-组件参数
- 元器件结构
| 基本结构属性 | 信号处理属性 | 工作条件属性 | 经典应用属性 |
|---|---|---|---|
| Active | Linear | Small Signal | Connection |
| Passive | Nonlinear | Larger Signal |
线性元件只能线性处理
非线性元件可以做线性处理：根据工作条件，非线性曲线也有线性范围。
1.2 元器件
有源与无源的区别
有源（PN结 BJT MOSFET）多端口 需要静态工作点 通常非线性
无源（电阻 电容 电感)双端口 线性
有源与无源的联系
无源设备为有源设备提供静态工作点。
两端口的线性元件不能放大：输入回路在输出回路中，三端放大器件输入输出回路不是一个。
无源设备：电阻
R = ρ L S = ρ L W ? d = ρ d × L W = R s × N R = \rho \frac{L}{S}=\rho\frac{L}{W\cdot d}=\frac{\rho}{d}\times\frac{L}{W}=R_s\times N R=ρSL=ρW?dL=dρ×WL=Rs×N
R s R_s Rs是方块电阻，不可设计，电阻类型选择。
N N N是可设计的图形。
用法：电流偏置 限流 电流表 电压偏置（不如电流偏置）
无源器件：电容和电感
| 电容 | 电感 | |
|---|---|---|
| 定义式 | C = C= C= | |
| 时域 | C d V c d t = I C\frac{dV_c}{dt}=I CdtdVc=I | L d i L d t = V L\frac{di_L}{dt}=V LdtdiL=V |
| 小信号频域 | X C = 1 j ω c X_C=\frac{1}{j\omega c} XC=jωc1 | X L = j ω L X_L=j\omega L XL=jωL |
| 特点 | 高频短路 低频断路 电压不能突变 | 低频短路 高频断路 电流不能突变 |
电容带来问题：电路中难免存在寄生电容，电路频率特性会随着频率变化而变化——解决：以毒攻毒 再用电容调节频率特性。
有源器件：二极管
PN基本原理：本征半导体 多子 少子
载流子自发扩散——内在电场阻碍扩散——达到动态平衡
I-V曲线：
