硬件学习笔记之电容选型之C0G，X7R

硬件学习笔记电容选择

前言：
为什么电子硬件中的一些基本电路需要电阻电容器？BJT由基本设备组成，如果不熟悉，如何设计所需的电路？
如果有兴趣的同学可以看前面的总结:
https://blog.csdn.net/waoshiwerr/article/details/120246814
https://blog.csdn.net/waoshiwerr/article/details/120251862
https://blog.csdn.net/waoshiwerr/article/details/120252734
希望对大家有所帮助
一.共享电容值
和以前的电阻一样，我们也有两种形式的电容器，一种是插件式电容器，另一种是贴片式电容器。插件的电容器基本上有参数和类型。电容器的容量值、公差和温度系数一般不会显示在贴片上，基本上会在手册中提到。
先来看看第一组数据:
104，前两个是值，后一个是倍数，电容的一般单位是微法，即uF，104的意思就是10*104次方uF。
电容的电位从大到小依次为F，mF，uF,nF,pF。上一个是1000。
相信到这里大家应该都有了一定的印象。
以下是电容器的综合标记：11uf/x7R/1210/10%@6V
首先，我们已经知道第一个11uf以下意义是x7R很多人可能对此不太了解。这是电容器上层的温度指标C0G的问题
在解释这个问题之前，让我们介绍一些电容器的三个等级class 1，class 2，class3.后面的数字越小，精度越高
C0G属于第一个class一级电容。
我没有在网上找到几张关于这个级别介绍完整的图片
我先介绍一下C0G的含义：
C代表0，，0代表10倍数的零次方G代表正负30ppm
从这些数据可以看出他良好的温度特性
根据容量的温度稳定性，介质材料可分为三类：

超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；

稳定级（II类)介质材料为X7R、X5R；

能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V、Z5U;

NPO（COG）它是一种具有温度补偿特性的最常用的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由其他一些稀有氧化物组成的，如氯乙烯、钡等。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。温度为-55℃到 125℃容量变为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容器的漂移或滞后小于±0.05%。

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃当容量变化为15%时，应注意电容器容量变化是非线性的。

X5R电容器被称为温度稳定型陶瓷电容器。当温度为-55时℃到 85℃容量变化为15%。

Y5V电容器是一种具有一定温度限制的通用电容器，正常工作温度范围为-30℃?—? 85℃，相应的容量变化为： 22~-82%，最大4%的介质损失。

Z5U电容器是一种具有一定温度限制的通用电容器，正常工作温度范围在 10℃?—? 85℃，相应的容量变化为： 22~-56%，最大4%的介质损失。
我们通常选择的电容基本上都是x7R和x5R电容器基本属于第二梯度，class一般来说，1系电容比较贵。
适用场合
class用于晶振电路。
class一般为开关电源电路。
总结：
为什么要考虑温度的影响温度的影响。温度会影响电容值，温度的变化会降低容值。首先，电容本身有一个公差，在整个公差下，会受到温度的影响，容值会进一步下降。之后有电压特性，电压对电容有影响。当额定电压的容值低于额定电压时，其容值也会发生变化，也会出现时效性问题。时间长了，电容会面临容值下降甚至失效，所以电容值最终会发生很大变化。