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反激电路中磁性元器件1_共模电感

时间:2022-09-19 23:00:00 电感线圈铜线圈emc环形共模电感emc共模电感规格10mh电感自振频率电感的dcr26b环形电感

2022-5-3 18:33:00
2022-5-4 18:36:39
2022-5-5 20:02:15
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1、背景
? \Diamond ? 1)共模噪声
★ \bigstar a)定义:交流电源电气设备输入端一般存在线路对地噪声(L、N线),对地相位保持相同,干扰信号以地为公共回路,在两天线上流过 1 2 \frac{1}{2} 21
√ \surd 实际上,由于线路阻抗不平衡,共模新号转换为差模信号。
√ \surd EMC中共模新号主要干扰(接地、屏蔽、滤波,其中整机屏蔽单元的接地点和屏蔽点必须等电位)
★ \bigstar b)来源:信号线上电网引入、地电位差、空间电磁辐射感应的共态电压。
★ \bigstar c)避免方案
° \circ °接地类型:电路板工作地点与参考地点相连,接地位于信号线入口;共模电流连接器集中在电路板同侧,避免共模电流流过整个电路板等工作地点;布线远离高压线,高压与信号线分离
° \circ °浮地型:扼流圈,避免共模新号转化为差模信号;PCB布局中的每个电路对其参考位置保持零电位I/O、RST关键信号设计滤波电路
? \Diamond ? 2)应考虑设计
√ \surd 正常工作时,磁心不应饱和
√ \surd 对高频信号阻抗足够大
√ \surd 温度系数与分布电容较小
√ \surd 直流电阻尽量小
√ \surd 感应电感量尽可能大( ∼ 30 m H \sim 30mH 30mH功率电路段)
∘ \circ 过大的电感量将减弱对高频杂讯抑制效果( 5 ∼ 10 M H z 5\sim 10MHz 510MHz
2、结构示意
共模电感参阅
3、实质:通过与电容搭配形成LC型低通滤波器以滤除高频干扰
4、设计步骤
√ \surd EMI允许级别 → \to 电感量确定 → \to 磁心材料及规格确定 → \to 实物测试
† F C C − C L A S S − B \dagger FCC-CLASS-B FCCCLASSB
∘ \circ 传导干扰:150KHz ∼ \thicksim 30MHz
∘ \circ 辐射干扰:30MHz ∼ \thicksim 1GHz
† \dagger 电感量确定
设定截止频率为50KHz(一般不小于 10 K H z 10KHz 10KHz),则 L = 1 ( 2 π f 0 ) 2 C ∥ ( 线 路 阻 抗 确 定 最 小 电 感 : L = X s 2 π f 0 , 一 般 线 路 串 联 阻 抗 X s = 50 Ω , 10 K H z → X s = 100 Ω ) L=\frac{1}{(2\pi f_0)^2C} \Vert (线路阻抗确定最小电感:L=\frac{X_s}{2\pi f_0},一般线路串联阻抗X_s=50\Omega,10KHz\to X_s=100\Omega) L=(2πf0)2C1线L=2πf0Xs线Xs=50Ω10KHzXs=100Ω(以 C = 3300 p F 为 例 → L = 3.07 m H C=3300pF 为例\to L=3.07mH C=3300pFL=3.07mH
† \dagger 磁心选取(高磁导率)
∘ \circ B − H B-H BH比例材料、磁芯损耗低且 B s B_s Bs较高
∘ N i − Z n \circ Ni-Zn NiZn铁氧体材料( μ < 1000 \mu <1000 μ<1000)且可在 > 100 M H z >100MHz >100MHz频率下磁导率保持不变。由于磁导率较低,从而低频时阻抗较小,适用于抑制 10 ∼ 20 M H z 10\sim 20MHz 1020MHz的干扰
∗ L 型 材 料 B − H 曲 线 , μ = 700 \ast L型材料B-H曲线,\mu=700 LBH线μ=700

∘ M n − Z n \circ Mn-Zn MnZn铁氧体材料( μ > 15000 \mu >15000 μ>15000)而 f > 20 K H z f>20KHz f>20KHz时磁导率下降(magnetics提供的$ J ( 5000 μ ) 、 W ( 10000 μ ) 、 M ( 15000 μ ) J(5000\mu)、W(10000\mu)、M(15000\mu) J(5000μ)W(10000μ)M(15000μ)型磁芯),由于磁导率较高,适用于抑制 10 K H z ∼ 50 M H z 10KHz\sim 50MHz 10KHz50MHz宽频干扰
∗ M 型 材 料 B − H 曲 线 , μ = 15000 \ast M型材料B-H曲线,\mu=15000 MBH线μ=15000

† \dagger 磁心规格
∘ \circ 环形优、劣势
∙ \bullet 由于不需要额外工艺将部件之间进行研磨组合,从而成本较低
∙ \bullet 完整环形中并不存在拼接气隙,从而有效磁导率较高
⋅ \centerdot 由于环形绕线须专用绕线机或人工绕制,从而单件成本较高
† \dagger 绕组:
∘ \circ 典型电流密度取值: j = 4 A / m m 2 j=4A/mm^2 j=4A/mm2
∘ \circ 单股导线:成本低、高频集肤效应的铜损有利于减弱干扰
∘ \circ 绕组间设置隔离,则各绕组一般占据 150 ° ∼ 170 ° 150°\sim170° 150°170°内周圆
∘ \circ 匝数: N = 1000 L ( m H ) A L N=1000\sqrt{\frac{L(mH)}{A_L}} N=1000ALL(mH)
⋅ \centerdot 如: J J J型材料 μ = 5000 , A L = 3020 \mu=5000,A_L=3020 μ=5000AL=3020

∘ \circ 线径: r = I i n j π r=\sqrt\frac{I_{in}}{j\pi} r=jπIin
▶ \blacktriangleright 磁心饱和:一般不会饱和,但部分差模磁通经绕组离开磁芯,且该漏磁通与导线中电流、绕组漏感成比例,从而导致在导线电流过大时磁心饱和或使工作点从B-H回路的原点偏移至磁导率增量较小的点
▹ \triangleright 共模线圈传给后面负载的电流偏大,已经超过或达到共模电感的额定电流
▹ \triangleright 共模干扰信号的单周期宽度比较大,使得电感电流出现饱和,此时可将感量设计稍大(不可过大,否则降低负载电流)

∘ \circ 设计
∙ \bullet 选取 J J J型磁芯: 46113 T C ∥ 43825 T C , A L = 6845 ∥ A L = 16730 46113TC\Vert 43825TC,A_L=6845\Vert A_L=16730 46113TC43825TCAL=6845AL=16730,尺寸: 61 ∗ 35.6 ∗ 127 ∥ 38.1 ∗ 19 ∗ 25.4 61*35.6*127\Vert 38.1*19*25.4 6135.612738.11925.4,磁路长度: l e = 144.6 ∥ l e = 82.8 l_e=144.6\Vert l_e=82.8 le=144.6le=82.8,磁通面积: 157.4 ∥ 233 157.4\Vert 233 157.4233,磁通体积: 22774 ∥ 19304 22774\Vert 19304 2277419304,绕线面积: 9.93 c m 2 ∥ 2.85 c m 2 9.93cm^2\Vert 2.85cm^2 9.93cm22.85cm2
∙ L = 3.07 m H , N = L A L \bullet L=3.07mH,N=\sqrt{\frac{L}{A_L}} L=3.07mH,N

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