电容到底能抗多大的静电

在硬件电路设计中，ESD防护是必不可少的环节。对于ESD我们中的大多数人会选择接近信号线IO口位置加上TVS下地。或者在信号线上串联阻串联到信号线上。除了这些最常用的方法外，我们有时还会使用信号线并联电容ESD防护。

首先，让我们带你去理解ESD模型

目前的ESD模型主要分为以下三类：
Human Body Model，人体模型：静电手触摸芯片；
人体等效150pf电容和电阻串联，静电后，触摸芯片瞬时产生高瞬态电压，电流放电损坏芯片；
MM：Machine Model，机械模型：如机械臂静电后接触芯片；
静电积累后，机器等效为200pf电容，电阻为0(因为机器是金属，忽略了它的电阻)，接触芯片时会产生高瞬态电压，电流放电会损坏芯片；

CDM：Charged Device Model，充电器件模型：芯片在储存和运输过程中产生静电；

对于 对于大多数硬件设计师来说，我们接触到的模型最多HBM模型包括两种测试规格，一种是IEC61000-4-2,一种则是AEC-Q200-002。

硬件设计的产品往往有很多认证，其中CE认证中的规格为IEC61000-4-2。同时，测试分为空气和接触测试。需要使用熟悉的静电枪，图为静电枪发生器的电路简图。

RC充电电阻，Cs充电电容，Rd放电电阻，即当充电开关打开时，放电开关关闭，直流高压电源Cs充电；相反，是的Cs储存的电荷释放给被测设备。

对于一个10KV 150pF就模型而言，它所含的能量是Q=CV。假如能量全部释放，Cx=10NF瞬时电压将达到10KV*150Pf/(10nF 150pF)=147.78V。同时，电容器仍然有击穿电压值，以使10NF电容在10KV在静电干扰下不会被击穿。其击穿电压必须大于147.78V。
虽然电容器可以在一定程度上防静电，但它不适用于高频信号线路。过大的容量值会导致失真。同时，它ESD设备有以下区别。