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BC558BTA、JAN2N5582、BC559BTA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC558BTA JAN2N5582 BC559BTA

描述 ON Semiconductor BC558BTA , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 10 MHz, 3引脚 TO-92封装TO-46 NPN 50V 0.8AON Semiconductor BC559BTA , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 10 MHz, 3引脚 TO-92封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-46-3 TO-226-3

引脚数 3 - 3

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 50 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.8A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 100 @150mA, 10V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

频率 150 MHz - 150 MHz

针脚数 3 - 3

耗散功率 500 mW - 500 mW

直流电流增益(hFE) 200 - 200

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

封装 TO-226-3 TO-46-3 TO-226-3

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99