JANTX1N5195
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
JANTX1N5195中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @100mA
耗散功率 500 mW
正向电流 200 mA
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTX1N5195引脚图与封装图
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在线购买JANTX1N5195
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX1N5195 | Microsemi 美高森美 | Diode Switching 180V 0.2A 2Pin DO-35 | 搜索库存 |
替代型号JANTX1N5195
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX1N5195 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-35 | 当前型号 | Diode Switching 180V 0.2A 2Pin DO-35 | 当前型号 |
| 型号： 1N5195 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 完全替代 | 通用硅二极管 GENERAL PURPOSE SILICON DIODES | JANTX1N5195和1N5195的区别 |
| 型号： JAN1N5195 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 类似代替 | Diode Switching 180V 0.2A 2Pin DO-35 | JANTX1N5195和JAN1N5195的区别 |
| 型号： JANTXV1N5195 品牌： 美高森美 封装： DO-35-2 | 功能相似 | Rectifiers Standard Rectifier trr more than 500ns | JANTX1N5195和JANTXV1N5195的区别 |