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JAN1N5195、JANTX1N5195、1N5195对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5195 JANTX1N5195 1N5195

描述 Diode Switching 180V 0.2A 2Pin DO-35Diode Switching 180V 0.2A 2Pin DO-35通用硅二极管 GENERAL PURPOSE SILICON DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

正向电压 1 V 1V @100mA 1V @100mA

正向电流 200 mA 200 mA -

正向电流(Max) 200 mA 0.2 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

耗散功率 - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead