JANTXV2N6211
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANTXV2N6211中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 225 V
集电极最大允许电流 2A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
JANTXV2N6211引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N6211
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N6211 | Microsemi 美高森美 | PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N6211
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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