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JANTXV2N6211、TIP42C、JAN2N6211对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV2N6211 TIP42C JAN2N6211

描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPOWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICONoPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-66 - TO-66

引脚数 - - 3

极性 PNP - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 225 V - 225 V

集电极最大允许电流 2A - 2A

耗散功率 - - 3 W

最小电流放大倍数(hFE) - - 30 @1A, 5V

额定功率(Max) - - 3 W

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 3000 mW

封装 TO-66 - TO-66

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 200℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99