JAN2N6211、JANTXV2N6211、2N6211对比区别

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型号 JAN2N6211 JANTXV2N6211 2N6211

描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-66 TO-66 TO-66-2

极性 PNP PNP -

耗散功率 3 W - 3 W

击穿电压(集电极-发射极) 225 V 225 V -

集电极最大允许电流 2A 2A -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @1A, 5V - -

额定功率(Max) 3 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3000 mW - 3000 mW

封装 TO-66 TO-66 TO-66-2

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 EAR99 - -