JANTXV2N5661
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Microsemi
美高森美
分立器件
JANTXV2N5661中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 2A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
外形尺寸
封装 TO-66
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JANTXV2N5661引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N5661 | Microsemi 美高森美 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N5661
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N5661 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 NPN | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N5661 品牌： 美高森美 封装： TO-66 NPN | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N5661和JANTX2N5661的区别 |
| 型号： JAN2N5661 品牌： 美高森美 封装： TO-66 NPN | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N5661和JAN2N5661的区别 |
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