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2N5661、JANTXV2N5661、JAN2N5661对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5661 JANTXV2N5661 JAN2N5661

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-66 TO-66 TO-66

引脚数 - 3 -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V 300 V

集电极最大允许电流 - 2A 2A

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

材质 - Silicon -