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2N6051、JAN2N6051、2N6050对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6051 JAN2N6051 2N6050

描述 PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORTrans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-312A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Intersil (英特矽尔)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-3 -

耗散功率 - 150 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @6A, 3V -

额定功率(Max) - 150 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150000 mW 150000 mW -

封装 TO-3 TO-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -