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JAN1N1190

军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier

This series of silicon power rectifier part numbers are qualified up to the JANTXV level for high reliability applications.  They are constructed with glass passivated die and feature glass to metal seal construction.  They offer a 500 amps surge rating and provide a VRWM up to 1000 volts.


艾睿:
Rectifier Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5 Tray


Verical:
Rectifier Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5 Tray


JAN1N1190中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.4V @110A

正向电流 35000 mA

正向电流Max 35 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

引脚数 2

封装 DO-5

外形尺寸

封装 DO-5

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

军工级 Yes

JAN1N1190引脚图与封装图
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替代型号JAN1N1190
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN1N1190

品牌: Microsemi 美高森美

封装: DO-5

当前型号

军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier

当前型号

型号: JANTX1N1190

品牌: 美高森美

封装: DO-5

完全替代

军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier

JAN1N1190和JANTX1N1190的区别

型号: JANTXV1N1190

品牌: 美高森美

封装: ~0.8°C/W

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型号: 1N1190

品牌: GeneSiC Semiconductor

封装: DO-203AB

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