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1N1190、JAN1N1190、JANTX1N1190对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N1190 JAN1N1190 JANTX1N1190

描述 整流器 600V 35A Std. Recovery军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier

数据手册 ---

制造商 GeneSiC Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管功率二极管二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 2

封装 DO-203AB DO-5 DO-5

安装方式 Chassis - -

正向电压 1.2V @35A 1.4V @110A 1.4V @110A

正向电流 35 A 35000 mA 35000 mA

正向电流(Max) 35 A 35 A 35 A

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电压(Max) 1.2 V - -

封装 DO-203AB DO-5 DO-5

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

军工级 - Yes Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 140 ℃ - -