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JAN1N1190、JANTXV1N1190、1N1190对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N1190 JANTXV1N1190 1N1190

描述 军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier整流器 600V 35A Std. Recovery

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) GeneSiC Semiconductor

分类 功率二极管功率二极管功率二极管

基础参数对比

引脚数 2 - 2

封装 DO-5 DO-203AB DO-203AB

安装方式 - - Chassis

正向电压 1.4V @110A 1.4V @110A 1.2V @35A

正向电流 35000 mA - 35 A

正向电流(Max) 35 A - 35 A

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

正向电压(Max) - - 1.2 V

封装 DO-5 DO-203AB DO-203AB

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

军工级 Yes Yes -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - 140 ℃