JANTXV2N5681
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N5681中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 40 @250mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
JANTXV2N5681引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N5681
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N5681 | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 100V 1A 3Pin TO-39 | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N5681
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N5681 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 100V 1A 3Pin TO-39 | 当前型号 |
| 型号： 2N5681 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | NPN功率晶体管的硅放大器 NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER | JANTXV2N5681和2N5681的区别 |
| 型号： NTE324 品牌： NTE Electronics 封装： TO-39 NPN 120V 1A 10W | 功能相似 | TO-39 NPN 120V 1A | JANTXV2N5681和NTE324的区别 |
| 型号： 2N5681LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-39 NPN 100V 1A | JANTXV2N5681和2N5681LEADFREE的区别 |
