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2N5681、JANTXV2N5681、JAN2N5681对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5681 JANTXV2N5681 JAN2N5681

描述 NPN功率晶体管的硅放大器 NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIERTrans GP BJT NPN 100V 1A 3Pin TO-39Trans GP BJT NPN 100V 1A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-205 TO-39

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @250mA, 2V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 TO-39 TO-205 TO-39

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -