JANTXV2N5681、NTE324、2N5681对比区别

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型号 JANTXV2N5681 NTE324 2N5681

描述 Trans GP BJT NPN 100V 1A 3Pin TO-39TO-39 NPN 120V 1ANPN功率晶体管的硅放大器 NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-205 TO-39 TO-39

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

额定电压(DC) - 120 V -

额定电流 - 1.00 A -

极性 - NPN -

耗散功率 - 10 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 120 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

直流电流增益(hFE) - 40 -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @250mA, 2V - -

额定功率(Max) 1 W - -

封装 TO-205 TO-39 TO-39

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 85412100959 -