JANTX2N3501
Semicoa Semiconductor
电子元器件分类
JANTX2N3501中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTX2N3501引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N3501
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N3501 | Semicoa Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin TO-39 | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N3501
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N3501 品牌： Semicoa Semiconductor 封装： | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin TO-39 | 当前型号 |
| 型号： JAN2N3501 品牌： 美高森美 封装： TO-205AD 1000mW | 类似代替 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANTX2N3501和JAN2N3501的区别 |
| 型号： JANTXV2N3501 品牌： 美高森美 封装： TO-39 NPN 1000mW | 类似代替 | NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR | JANTX2N3501和JANTXV2N3501的区别 |
| 型号： JANS2N3501 品牌： Semicoa Semiconductor 封装： | 类似代替 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A IC, 150V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | JANTX2N3501和JANS2N3501的区别 |