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JAN2N3501、JANTX2N3501、2N3501对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3501 JANTX2N3501 2N3501

描述 NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin TO-39NPN双极型晶体管 NPN BIPOLAR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-205 TO-39 TO-205

安装方式 Through Hole - Through Hole

耗散功率 1 W 1 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 150 V - 150 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 1 W - 1 W

封装 TO-205 TO-39 TO-205

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99