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JANS2N3501、JANTX2N3501、2N3501-BP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N3501 JANTX2N3501 2N3501-BP

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin TO-39TO-39 NPN 150V 0.3A

数据手册 ---

制造商 Semicoa Semiconductor Semicoa Semiconductor Micro Commercial Components (美微科)

分类

基础参数对比

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

安装方式 - - Through Hole

耗散功率 - 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

极性 - - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - - 150 V

集电极最大允许电流 - - 0.3A

封装 TO-39 TO-39 TO-39

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

ECCN代码 - EAR99 -