耗散功率 170W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
耗散功率Max 170W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFSL9N60A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFSL9N60A 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-262AA | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 | 当前型号 | |
型号: IRFSL9N60APBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-262 | 类似代替 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 | IRFSL9N60A和IRFSL9N60APBF的区别 | |
型号: SPI07N60C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-262-3 N-CH 650V 7.3A | 功能相似 | 新的革命高电压技术,超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge | IRFSL9N60A和SPI07N60C3的区别 | |
型号: IRF830ALPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-262-3 | 功能相似 | MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3 | IRFSL9N60A和IRF830ALPBF的区别 |