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IRFSL9N60A

IRFSL9N60A

数据手册.pdf
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

N-Channel 600V 9.2A Tc 170W Tc Through Hole TO-262-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3


IRFSL9N60A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 170W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 1400pF @25VVds

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFSL9N60A引脚图与封装图
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型号: IRFSL9N60A

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-262AA

当前型号

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

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