IRFSL9N60A、IRFSL9N60APBF、IRFSL11N50APBF对比区别

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型号 IRFSL9N60A IRFSL9N60APBF IRFSL11N50APBF

描述 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262MOSFET N-CH 500V 11A TO-262

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

耗散功率 170W (Tc) 170 W 190W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 500 V

输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 1426pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc) 190W (Tc)

漏源极电阻 - 750 mΩ -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) - 170 W 190 W

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free