IRFSL9N60A、SPI07N60C3、IRFSL9N60APBF对比区别

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型号 IRFSL9N60A SPI07N60C3 IRFSL9N60APBF

描述 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262新的革命高电压技术，超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate chargeMOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

漏源极电阻 - - 750 mΩ

耗散功率 170W (Tc) 83 W 170 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 83 W 170 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 170W (Tc) 83000 mW 170W (Tc)

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 7.30 A -

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 7.30 A -

上升时间 - 3.5 ns -

下降时间 - 7 ns -

长度 - 10.2 mm 10.67 mm

宽度 - 4.5 mm 4.83 mm

高度 - 9.45 mm 9.65 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free