IRFR214TRL
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFR214TRL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.5W Ta, 25W Tc
漏源极电压Vds 250 V
输入电容Ciss 140pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 25W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFR214TRL引脚图与封装图
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在线购买IRFR214TRL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFR214TRL | Vishay Siliconix | Mosfet n-Ch 250V 2.2A Dpak | 搜索库存 |
替代型号IRFR214TRL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR214TRL 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252AA | 当前型号 | Mosfet n-Ch 250V 2.2A Dpak | 当前型号 |
| 型号： IRFR214PBF 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A ID, 250V, 2Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | IRFR214TRL和IRFR214PBF的区别 |
| 型号： IRFR214TRLPBF 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A ID, 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | IRFR214TRL和IRFR214TRLPBF的区别 |