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IRFBF20
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

N-Channel 900 V 1.7A Tc 54W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB


IRFBF20中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 54W Tc

漏源极电压Vds 900 V

输入电容Ciss 490pF @25VVds

耗散功率Max 54W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.7 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFBF20引脚图与封装图
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IRFBF20 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB 搜索库存
替代型号IRFBF20
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型号: IRFBF20

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-220-3

当前型号

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

当前型号

型号: IRFBF20PBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-220AB

完全替代

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin3+Tab TO-220AB

IRFBF20和IRFBF20PBF的区别