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IRFBF20、IRFBF20PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBF20 IRFBF20PBF

描述 MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220ABTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 -

耗散功率 54W (Tc) 54W (Tc)

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

输入电容(Ciss) 490pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 54W (Tc) 54W (Tc)

额定功率(Max) - 54 W

宽度 4.7 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free