耗散功率 3.1W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 350pF @25VVds
耗散功率Max 3.1W Ta, 50W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFBC20STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFBC20STRL 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK | 当前型号 | |
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