FQB7N60TM、IRFBC20STRL、IRFBC20SPBF对比区别
型号 FQB7N60TM IRFBC20STRL IRFBC20SPBF
描述 QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAKMOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - -
耗散功率 3.13 W 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Ciss) 1100pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 142 W 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
上升时间 80 ns - -
额定功率(Max) 3.13 W - -
下降时间 60 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - -
宽度 9.65 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free