IRFBC20STRL、STB14NK60ZT4、STB6NK60ZT4对比区别

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型号 IRFBC20STRL STB14NK60ZT4 STB6NK60ZT4

描述 MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAKN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STB6NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 13.5 A 6.00 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 500 mΩ 1 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1W (Ta), 50W (Tc) 160 W 110 W

阈值电压 - 3.75 V 3.75 V

输入电容 - 2220 pF 905 pF

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 13.5 A 6.00 A

上升时间 - 18 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 2220pF @25V(Vds) 905pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 160 W 110 W

下降时间 - 13 ns 19 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 160W (Tc) 110W (Tc)

针脚数 - - 3

长度 - 10.75 mm 10.75 mm

宽度 - 10.4 mm 10.4 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99