
耗散功率 2.5W Ta, 42W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 490pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 42W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRLU120PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRLU120PBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-251 | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK | 当前型号 | |
型号: RFD7N10LE 品牌: 英特矽尔 封装: | 功能相似 | 7A , 100V , 0.300 Ohm的N通道,逻辑电平功率MOSFET 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs | IRLU120PBF和RFD7N10LE的区别 | |
型号: IRLU120 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 10A ID, 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3 | IRLU120PBF和IRLU120的区别 |